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Spintronic device physics in Si/Ge Heterostructures.

硅/锗异质结构中的自旋电子器件物理。

基本信息

批准号：
EP/J003638/1
负责人：
David Ritchie
金额：
$ 70.24万
依托单位：
University of Cambridge
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2012
资助国家：
英国
起止时间：
2012 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FJ003638%2F1
关键词：
Spintronic device physics Si Ge

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前，所有资助研究的摘要都不能在GTR中找到。这通常是因为在提交提案时并不需要摘要，但可能是因为它包含了个人详细信息等敏感信息。

项目成果

期刊论文数量（10）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Frontiers in Electronic Materials - A Collection of Extended Abstracts of the Nature Conference Frontiers in Electronic Materials, June 17th to 20th 2012, Aachen, Germany

电子材料前沿 - 自然会议电子材料前沿扩展摘要集，2012 年 6 月 17 日至 20 日，德国亚琛

DOI：
10.1002/9783527667703.ch50
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hai P
通讯作者：
Hai P

Thermal oxidation of amorphous germanium thin films on SiO 2 substrates

SiO 2 衬底上非晶锗薄膜的热氧化

DOI：
10.1088/0268-1242/31/12/125017
发表时间：
2016
期刊：
Semiconductor Science and Technology
影响因子：
1.9
作者：
De Los Santos Valladares L
通讯作者：
De Los Santos Valladares L

Characterization of Ni thin films following thermal oxidation in air

DOI：
10.1116/1.4895846
发表时间：
2014-09
期刊：
Journal of Vacuum Science & Technology B
影响因子：
1.4
作者：
L. De Los Santos Valladares;A. Ionescu;S. Holmes;C. Barnes;A. B. Bustamante Dominguez;Oswaldo Avalos Quispe;J. González;S. Milana;M. Barbone;A. Ferrari;H. Ramos;Y. Majima
通讯作者：
L. De Los Santos Valladares;A. Ionescu;S. Holmes;C. Barnes;A. B. Bustamante Dominguez;Oswaldo Avalos Quispe;J. González;S. Milana;M. Barbone;A. Ferrari;H. Ramos;Y. Majima

Weak localization and weak antilocalization in doped germanium epilayers

DOI：
10.1063/1.4975600
发表时间：
2017-02-06
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
Newton, P. J.;Mansell, R.;Barnes, C. H. W.
通讯作者：
Barnes, C. H. W.

Magnetotransport in p-type Ge quantum well narrow wire arrays

p型Ge量子阱窄线阵列中的磁输运

DOI：
10.1063/1.4919053
发表时间：
2015
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Newton P
通讯作者：
Newton P

DOI：
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作者：
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作者：
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作者：
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David Ritchie其他文献

Time-Limited Ibrutinib and Tisagenlecleucel Is Highly Effective in the Treatment of Patients with Relapsed or Refractory Mantle Cell Lymphoma, Including Those with emTP53/em Mutated and Btki-Refractory Disease: First Report of the Tarmac Study

限时伊布替尼和替沙格仑赛在复发或难治性套细胞淋巴瘤患者的治疗中非常有效，包括那些具有 emTP53/em 突变和 Btki 难治性疾病的患者：Tarmac 研究的首次报告

DOI：
10.1182/blood-2022-160459
发表时间：
2022-11-15
期刊：
BLOOD
影响因子：
23.100
作者：
Adrian Minson;Nada Hamad;Chan Y. Cheah;Constantine S. Tam;Piers Blombery;David A Westerman;Stephen Lade;David Ritchie;Rachel M Koldej;Mary Ann Anderson;Amit Khot;John F. Seymour;Molly Robertson;Imogen R Caldwell;Georgina L Ryland;Jing Xie;Huw Morgan;Michael Dickinson
通讯作者：
Michael Dickinson

P332 Exploring the Landscape of Palliative Care for People with Non-Hodgkin’s Lymphoma: Do They Receive Quality End-of-Life Care?

DOI：
10.1016/j.jpainsymman.2016.10.339
发表时间：
2016-12-01
期刊：
Conference abstract
影响因子：
作者：
Anna Collins;Jodie Burchell;David Ritchie;Brian Le;Vijaya Sundararajan;Peter Hudson;Sue-Anne McLachlan;Meinir Krishnasamy;Jeremy Millar;David Currow;Linda Mileshkin;Jennifer Philip
通讯作者：
Jennifer Philip

Effects of coolant supply arrangement on double wall cooling: Hot-side effusion performance and cold-side Nusselt numbers at different initial blowing ratios

DOI：
10.1016/j.ijheatmasstransfer.2020.119808
发表时间：
2020-08-01
期刊：
Research article
影响因子：
作者：
Austin Click;Phil Ligrani;David Ritchie;Federico Liberatore;Rajeshriben Patel;Yin-Hsiang Ho
通讯作者：
Yin-Hsiang Ho

Bortezomib added to high-dose melphalan as pre-transplant conditioning is safe in patients with heavily pre-treated multiple myeloma

在高剂量马法兰中添加硼替佐米作为移植前预处理对于接受过大量预处理的多发性骨髓瘤患者是安全的

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
Bone Marrow Transplantation
影响因子：
4.8
作者：
Philip A Thompson;H. M. Prince;H. M. Prince;John F. Seymour;John F. Seymour;David Ritchie;David Ritchie;K. Stokes;K. Burbury;Max Wolf;S. Peinert;T. Joyce;Simon J. Harrison;Simon J. Harrison
通讯作者：
Simon J. Harrison