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GaAsP-GaAs nanowire quantum dots for novel quantum emitters

GaAsP-GaAs nanowire quantum dots for novel quantum emitters
用于新型量子发射器的GaAsP-GaAs纳米线量子点
批准号：
EP/P000886/1
负责人：
Huiyun Liu
金额：
$99.26万
依托单位：
University College London
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2016
资助国家：
英国
项目状态：
已结题
起止时间：
2016 至 --
来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FP000886%2F1
关键词：
GaAsPGaAsnanowirequantumdots

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会议论文
Investigation into the current loss in InAs/GaAs quantum dot solar cells with Si-doped quantum dots
Si掺杂量子点InAs/GaAs量子点太阳能电池电流损耗研究
DOI： 10.1088/1361-6463/ab4147
发表时间： 2019
期刊： Applied Physics
影响因子： --
作者： [Chan S]
通讯作者： Chan S
High-Responsivity Photodetection by Self-Catalyzed Phase-Pure P-GaAs Nanowire
自催化相纯 P-GaAs 纳米线的高响应度光电检测
DOI： 10.48550/arxiv.1804.07421
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [Ali H]
通讯作者： Ali H
Long-Term Stability and Optoelectronic Performance Enhancement of InAsP Nanowires with an Ultrathin InP Passivation Layer.
超薄INP钝化层的长期稳定性和光电性能增强INASP纳米线。
DOI： 10.1021/acs.nanolett.2c00805
发表时间： 2022-04-27
期刊： NANO LETTERS
影响因子： 10.8
作者： [Chen, LuLu, OAdeyemo, Stephanie, Fonseka, H. Aruni, Liu, Huiyun, Kar, Srabani, Yang, Hui, Velichko, Anton, Mowbray, David J., Cheng, Zhiyuan, Sanchez, Ana M., Joyce, Hannah J., Zhang, Yunyan]
通讯作者： Zhang, Yunyan
Enhanced Performance of InAsP Nanowires with Ultra-thin Passivation Layer
具有超薄钝化层的 InAsP 纳米线的增强性能
DOI： 10.1109/irmmw-thz.2019.8874492
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [Adeyemo S]
通讯作者： Adeyemo S
共 6 条
    Phosphide-based nanowires for visible and near-infrared miniature photon emitters
    • 批准号：
      EP/W002302/1
    • 项目类别：
      Research Grant
    • 资助金额：
      $119.84万
    • 财政年份：
      2022
    • 负责人：
      Huiyun Liu
    • 依托单位：
      University College London
    C-band quantum-dot lasers on monolithically grown Si platform
    • 批准号：
      EP/V029606/1
    • 项目类别：
      Research Grant
    • 资助金额：
      $92.98万
    • 财政年份：
      2022
    • 负责人：
      Huiyun Liu
    • 依托单位：
      University College London
    Energy and the Physical Sciences: Semiconductor III-V Quantum-Dot Solar Cells on Silicon Substrates
    • 批准号：
      EP/K029118/1
    • 项目类别：
      Research Grant
    • 资助金额：
      $76.52万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      Huiyun Liu
    • 依托单位：
      University College London
    Silicon based QD light sources and lasers
    • 批准号：
      EP/J012904/1
    • 项目类别：
      Research Grant
    • 资助金额：
      $83.15万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      Huiyun Liu
    • 依托单位：
      University College London
    国内基金
    海外基金
    基于应力平衡量子阱结构的超高效GaInP/GaAs(QWs)/InGaAs太阳电池研究
    GaAs基1μm激光电池高光电特性调控机制研究
    • 批准号：
      62301347
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30.00万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      苟于单
    • 依托单位：
      四川大学
    小麦成株抗条锈性新位点QYr.gaas-1AL精细定位及候选基因功能分析
    • 批准号：
      32360512
    • 项目类别：
      地区科学基金项目
    • 资助金额：
      32万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      白斌
    • 依托单位：
      甘肃省农业科学院
    全介质超表面透射式GaAs光电阴极的窄带发射机理及特性研究
    • 批准号：
      12375158
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      53万元
    • 批准年份：
      2023
    • 负责人：
      彭新村
    • 依托单位：
      东华理工大学