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GaAsP-GaAs nanowire quantum dots for novel quantum emitters

用于新型量子发射器的GaAsP-GaAs纳米线量子点

基本信息

批准号：
EP/P000886/1
负责人：
Huiyun Liu
金额：
$ 99.26万
依托单位：
University College London
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2016
资助国家：
英国
起止时间：
2016 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FP000886%2F1
关键词：
GaAsP GaAs nanowire quantum dots

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前，GtR 中尚未提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但可能是因为它包含个人详细信息等敏感信息。

项目成果

期刊论文数量（9）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Investigation into the current loss in InAs/GaAs quantum dot solar cells with Si-doped quantum dots

Si掺杂量子点InAs/GaAs量子点太阳能电池电流损耗研究

DOI：
10.1088/1361-6463/ab4147
发表时间：
2019
期刊：
Applied Physics
影响因子：
0
作者：
Chan S
通讯作者：
Chan S

High-Responsivity Photodetection by Self-Catalyzed Phase-Pure P-GaAs Nanowire

自催化相纯 P-GaAs 纳米线的高响应度光电检测

DOI：
10.48550/arxiv.1804.07421
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ali H
通讯作者：
Ali H

Long-Term Stability and Optoelectronic Performance Enhancement of InAsP Nanowires with an Ultrathin InP Passivation Layer.

超薄INP钝化层的长期稳定性和光电性能增强INASP纳米线。

DOI：
10.1021/acs.nanolett.2c00805
发表时间：
2022-04-27
期刊：
NANO LETTERS
影响因子：
10.8
作者：
Chen, LuLu;OAdeyemo, Stephanie;Fonseka, H. Aruni;Liu, Huiyun;Kar, Srabani;Yang, Hui;Velichko, Anton;Mowbray, David J.;Cheng, Zhiyuan;Sanchez, Ana M.;Joyce, Hannah J.;Zhang, Yunyan
通讯作者：
Zhang, Yunyan

Enhanced Performance of InAsP Nanowires with Ultra-thin Passivation Layer

具有超薄钝化层的 InAsP 纳米线的增强性能

DOI：
10.1109/irmmw-thz.2019.8874492
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Adeyemo S
通讯作者：
Adeyemo S

Self-Catalyzed AlGaAs Nanowires and AlGaAs/GaAs Nanowire-Quantum Dots on Si Substrates.

DOI：
10.1021/acs.jpcc.1c03680
发表时间：
2021-07-08
期刊：
The journal of physical chemistry. C, Nanomaterials and interfaces
影响因子：
0
作者：
Boras G;Yu X;Fonseka HA;Davis G;Velichko AV;Gott JA;Zeng H;Wu S;Parkinson P;Xu X;Mowbray D;Sanchez AM;Liu H
通讯作者：
Liu H

DOI：
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作者：
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作者：
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Huiyun Liu其他文献

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p 掺杂量子点激光器中阈值电流的温度依赖性

DOI：
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
0
作者：
I. Sandall;P. Smowton;J. D. Thomson;T. Badcock;D. Mowbray;Huiyun Liu;M. Hopkinson
通讯作者：
M. Hopkinson

Structural analysis of the effects of a combined InAlAs-InGaAs capping layer in 1.3-μm InAs quantum dots

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DOI：
10.1007/3-540-31915-8_54
发表时间：
2005
期刊：
Precambrian Research
影响因子：
3.8
作者：
C. M. Tey;A. Cullis;Huiyun Liu;I. Ross;M. Hopkinson
通讯作者：
M. Hopkinson

Limits of In(Ga)As/GaAs quantum dot growth

In(Ga)As/GaAs量子点生长的极限

DOI：
10.1002/pssb.200880587
发表时间：
2009
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
0
作者：
A. Lenz;H. Eisele;Rainer Timm;L. Ivanova;R. Sellin;Huiyun Liu;M. Hopkinson;U. W. Pohl;D. Bimberg;M. Dähne
通讯作者：
M. Dähne