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Silicon based QD light sources and lasers

硅基 QD 光源和激光器

基本信息

批准号：
EP/J012904/1
负责人：
Huiyun Liu
金额：
$ 83.15万
依托单位：
University College London
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2012
资助国家：
英国
起止时间：
2012 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FJ012904%2F1
关键词：
Silicon based QD light sources

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前GtR中并没有提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但也可能是因为它包含敏感信息，如个人详细信息。

项目成果

期刊论文数量（10）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Long-Wavelength InAs/GaAs Quantum-Dot Light Emitting Sources Monolithically Grown on Si Substrate

DOI：
10.3390/photonics2020646
发表时间：
2015-06
期刊：
Photonics
影响因子：
2.4
作者：
Siming Chen;M. Tang;Jiang Wu;Q. Jiang;V. Dorogan;M. Benamara;Y. Mazur;G. Salamo;Huiyun Liu
通讯作者：
Siming Chen;M. Tang;Jiang Wu;Q. Jiang;V. Dorogan;M. Benamara;Y. Mazur;G. Salamo;Huiyun Liu

III-IV quantum dot lasers epitaxially grown on Si

DOI：
10.1109/cleopr.2017.8119104
发表时间：
2017-07
期刊：
2017 Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR)
影响因子：
0
作者：
Siming Chen;M. Tang;Jiang Wu;M. Liao;A. Seeds;Huiyun Liu
通讯作者：
Siming Chen;M. Tang;Jiang Wu;M. Liao;A. Seeds;Huiyun Liu

InAs/GaAs Quantum-Dot Superluminescent Light-Emitting Diode Monolithically Grown on a Si Substrate

Si 衬底上单片生长的 InAs/GaAs 量子点超辐射发光二极管

DOI：
10.1021/ph500162a
发表时间：
2014
期刊：
ACS Photonics
影响因子：
7
作者：
Chen S
通讯作者：
Chen S

InAs/GaAs quantum dot lasers monolithically grown on silicon for silicon photonics

用于硅光子学的在硅上单片生长的 InAs/GaAs 量子点激光器

DOI：
10.1364/iprsn.2016.itu3a.2
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Chen S
通讯作者：
Chen S

Long lifetime quantum-dot laser monolithically grown on silicon

在硅上单片生长的长寿命量子点激光器

DOI：
10.1109/group4.2016.7739099
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Chen S
通讯作者：
Chen S

DOI：
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发表时间：
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作者：
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数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
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作者：
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作者：
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作者：
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Huiyun Liu其他文献

Structural analysis of the effects of a combined InAlAs-InGaAs capping layer in 1.3-μm InAs quantum dots

1.3 μm InAs 量子点中组合 InAlAs-InGaAs 覆盖层效应的结构分析

DOI：
10.1007/3-540-31915-8_54
发表时间：
2005
期刊：
Precambrian Research
影响因子：
3.8
作者：
C. M. Tey;A. Cullis;Huiyun Liu;I. Ross;M. Hopkinson
通讯作者：
M. Hopkinson

Limits of In(Ga)As/GaAs quantum dot growth

In(Ga)As/GaAs量子点生长的极限

DOI：
10.1002/pssb.200880587
发表时间：
2009
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
0
作者：
A. Lenz;H. Eisele;Rainer Timm;L. Ivanova;R. Sellin;Huiyun Liu;M. Hopkinson;U. W. Pohl;D. Bimberg;M. Dähne
通讯作者：
M. Dähne