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C-band quantum-dot lasers on monolithically grown Si platform

单片生长硅平台上的 C 波段量子点激光器

基本信息

批准号：
EP/V029606/1
负责人：
Huiyun Liu
金额：
$ 92.98万
依托单位：
University College London
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2022
资助国家：
英国
起止时间：
2022 至无数据
项目状态：
未结题

来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FV029606%2F1
关键词：
band quantum dot lasers monolithically

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前GtR中并没有所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但也可能是因为摘要中包含个人详细信息等敏感信息。

项目成果

期刊论文数量（10）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Monolithically integrated photonic crystal surface emitters on silicon with a vortex beam by using bound states in the continuum

通过使用连续体中的束缚态，使用涡旋光束在硅上单片集成光子晶体表面发射器

DOI：
10.1364/ol.484472
发表时间：
2023
期刊：
Optics Letters
影响因子：
3.6
作者：
Li H
通讯作者：
Li H

Theoretical analysis and modelling of degradation for III-V lasers on Si

Si 上 III-V 激光器退化的理论分析和建模

DOI：
10.1088/1361-6463/ac83d3
发表时间：
2022
期刊：
Applied Physics
影响因子：
0
作者：
Liu J
通讯作者：
Liu J

Room-temperature continuous-wave topological Dirac-vortex microcavity lasers on silicon.

DOI：
10.1038/s41377-023-01290-4
发表时间：
2023-10-24
期刊：
Light, science & applications
影响因子：
0
作者：
Ma J;Zhou T;Tang M;Li H;Zhang Z;Xi X;Martin M;Baron T;Liu H;Zhang Z;Chen S;Sun X
通讯作者：
Sun X

High Operating Temperature Mid-Infrared InGaAs/GaAs Submonolayer Quantum Dot Quantum Cascade Detectors on Silicon

DOI：
10.1109/jqe.2023.3238754
发表时间：
2023-04-01
期刊：
IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
影响因子：
2.5
作者：
Guo, Daqian;Huang, Jian;Wu, Jiang
通讯作者：
Wu, Jiang

The epitaxial growth and unique morphology of InAs quantum dots embedded in a Ge matrix

DOI：
10.1088/1361-6463/ac95a3
发表时间：
2022-12-08
期刊：
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
影响因子：
3.4
作者：
Jia，Hui;Yang，Junjie;Liu，Huiyun
通讯作者：
Liu，Huiyun

DOI：
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作者：
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作者：
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作者：
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作者：
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DOI：
发表时间：
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作者：
I. Sandall;P. Smowton;J. D. Thomson;T. Badcock;D. Mowbray;Huiyun Liu;M. Hopkinson
通讯作者：
M. Hopkinson

Structural analysis of the effects of a combined InAlAs-InGaAs capping layer in 1.3-μm InAs quantum dots

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DOI：
10.1007/3-540-31915-8_54
发表时间：
2005
期刊：
Precambrian Research
影响因子：
3.8
作者：
C. M. Tey;A. Cullis;Huiyun Liu;I. Ross;M. Hopkinson
通讯作者：
M. Hopkinson

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In(Ga)As/GaAs量子点生长的极限

DOI：
10.1002/pssb.200880587
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2009
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
0
作者：
A. Lenz;H. Eisele;Rainer Timm;L. Ivanova;R. Sellin;Huiyun Liu;M. Hopkinson;U. W. Pohl;D. Bimberg;M. Dähne
通讯作者：
M. Dähne