Room-Temperature Single Atom Silicon Quantum Electronics
Room-Temperature Single Atom Silicon Quantum Electronics
室温单原子硅量子电子学
批准号：
EP/V027700/1
负责人：
Neil Curson
金额：
$59.5万
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2021
资助国家：
英国
项目状态：
未结题
起止时间：
2021 至 --
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会议论文
Detection Sensitivity Limit of Hundreds of Atoms with X-Ray Fluorescence Microscopy
X 射线荧光显微镜对数百个原子的检测灵敏度极限
X 射线荧光显微镜对数百个原子的检测灵敏度极限
DOI：
10.48550/arxiv.2310.03409
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Masteghin M]
通讯作者：
Masteghin M
Single-Atom Control of Arsenic Incorporation in Silicon for High-Yield Artificial Lattice Fabrication
单原子控制砷在硅中的掺入用于高产人工晶格制造
单原子控制砷在硅中的掺入用于高产人工晶格制造
DOI：
10.1002/adma.202312282
发表时间：
2024
期刊：
Advanced Materials
影响因子：
29.4
作者：
[Stock T]
通讯作者：
Stock T
Dopant-based Quantum Technologies in Silicon
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批准号：EP/Z531236/1
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项目类别：Research Grant
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资助金额：$161.72万
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财政年份：2024
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负责人：Neil Curson
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依托单位：
Nanoscale Germanium Electronics
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批准号：EP/I02865X/1
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项目类别：Research Grant
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资助金额：$12.98万
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财政年份：2011
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负责人：Neil Curson
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依托单位：
海外基金
