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Device Electronics Based on nanoWires and NanoTubes

基于纳米线和纳米管的设备电子学

基本信息

批准号：
EP/D064465/2
负责人：
Maria De Souza
金额：
--
依托单位：
University of Sheffield
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2007
资助国家：
英国
起止时间：
2007 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FD064465%2F2
关键词：
Device Electronics Based nanoWires NanoTubes

项目摘要

There is considerable scope for CNFETs and Si Nanowires with their capability of ballistic transport, to be introduced into standard CMOS via a hybrid technology.The main reason currently hampering the use of this technology is an absence of controlled fabrication techniques in MOS type configurations with predictable device characteristics. Adequate physical models and simulation tools are necessary to address this issue.collaborative research involves four partners: 1) Pisa : Atomistic modelling of ballistic transport in gated structures with contacts. (2) Vienna: Effective mass approach to transport inclusive of scattering.(3) De Montfort University : Characterisation, parameter extraction and defect analysis of devices fabricated at Cambridge. The parameters will be fed into the modelling at Pisa and Vienna.(4) Cambridge University : Fabrication of devices.overall goal of the project is to carry out a comprehensive analysis linking theory with experiment to enable some fundamental design rules for fabrication of such technologies in future.

具有弹道传输能力的CNFET和Si纳米线通过混合技术被引入到标准的CMOS中有相当大的空间，目前阻碍该技术应用的主要原因是在MOS类型的配置中缺乏具有可预测的器件特性的受控制造技术。为了解决这一问题，需要有足够的物理模型和仿真工具。合作研究涉及四个合作伙伴：1)PISA：有触点的门式结构中弹道传输的原子模拟。(2)维也纳：包括散射在内的有效质量传输方法。(3)德蒙福特大学：剑桥制造的器件的表征、参数提取和缺陷分析。这些参数将被输入到比萨和维也纳的建模中。(4)剑桥大学：器件的制造。该项目的总体目标是进行理论与实验相结合的全面分析，以便为未来此类技术的制造提供一些基本的设计规则。

项目成果

期刊论文数量（9）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Electronic properties of extended graphene nanomaterials from GW calculations

DOI：
10.1002/pssb.200982339
发表时间：
2009-12
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
0
作者：
S. Taioli;P. Umari;M. M. Souza-M.
通讯作者：
S. Taioli;P. Umari;M. M. Souza-M.

Ab initio investigation of charge transfer technique for control of Schottky contacts in CNTs

用于控制碳纳米管肖特基接触的电荷转移技术的从头算研究

DOI：
10.1007/s10854-007-9117-8
发表时间：
2007
期刊：
Materials in Electronics
影响因子：
0
作者：
Casterman D
通讯作者：
Casterman D

Surface intercalation of gold underneath a graphene monolayer on SiC(0001) studied by scanning tunneling microscopy and spectroscopy

通过扫描隧道显微镜和光谱研究 SiC(0001) 上石墨烯单层下方金的表面插层

DOI：
10.1063/1.3168502
发表时间：
2009
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
Premlal B
通讯作者：
Premlal B

Superlattice of resonators on monolayer graphene created by intercalated gold nanoclusters

DOI：
10.1209/0295-5075/91/66004
发表时间：
2010-06
期刊：
EPL (Europhysics Letters)
影响因子：
0
作者：
M. Cranney;F. Vonau;P. B. Pillai;E. Denys;D. Aubel;M. M. De Souza-M.;C. Bena;L. Simon
通讯作者：
M. Cranney;F. Vonau;P. B. Pillai;E. Denys;D. Aubel;M. M. De Souza-M.;C. Bena;L. Simon

Effect of Hydrazine on Al-Contacted Carbon Nanotube Field Effect Transistors Using Density Functional Theory

利用密度泛函理论研究肼对铝接触碳纳米管场效应晶体管的影响