Development of high-performance Si-based spin transistors toward AI electronics technologies

面向人工智能电子技术开发高性能硅基自旋晶体管

基本信息

  • 批准号:
    23H00177
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 30.87万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-04-01 至 2027-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

中根 了昌其他文献

微小領域選択成長によるSi上III/V化合物半導体層の形成
微区选择性生长在Si上形成III/V族化合物半导体层
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    出浦 桃子;杉山 正和;星井 拓也;中根 了昌;竹中 充;菅原 聡;高木 信一;中野 義昭
  • 通讯作者:
    中野 義昭
ニューロン特性の不均一性を考慮したエコーステートネットワーク
考虑神经元属性异质性的回声状态网络
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田中 剛平;中根 了昌;山根 敏志;中野 大樹;武田 征士;中川 茂;廣瀬 明
  • 通讯作者:
    廣瀬 明
リザバーコンピューティング
水库计算
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    田中 剛平;中根 了昌;廣瀬 明
  • 通讯作者:
    廣瀬 明
Si上III/V族化合物半導体の選択MOVPEにおける初期核発生過程の観察と制御
Si 上 III/V 族化合物半导体选择性 MOVPE 初始成核过程的观测与控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    出浦 桃子;杉山 正和;星井 拓也;中根 了昌;竹中 充;菅原 聡;高木 信一;中野 義昭
  • 通讯作者:
    中野 義昭

中根 了昌的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('中根 了昌', 18)}}的其他基金

強磁性体からSiへのスピン注入とスピン蓄積効果に関する研究
铁磁体对硅的自旋注入及自旋累积效应研究
  • 批准号:
    18760010
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 30.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

相似海外基金

シリコン超低損失スーパージャンクションダーリントン型パワーデバイスの研究開発
硅超低损耗超结达林顿型功率器件的研发
  • 批准号:
    23K03814
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 30.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Spin-dependent electron transport through Si-based magnetic tunnel junctions
通过硅基磁隧道结的自旋相关电子传输
  • 批准号:
    20H02199
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 30.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
電子流体効果を用いた新原理シリコンデバイスの研究
利用电流体效应的新原理硅器件研究
  • 批准号:
    20H00241
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 30.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Development of World Smallest Insect-Type Robot with Implementation of Silicon Device
利用硅器件开发世界上最小的昆虫型机器人
  • 批准号:
    18K04060
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 30.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Fabrication of single-atom devices by single-atom doping method
单原子掺杂法制备单原子器件
  • 批准号:
    22681020
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 30.87万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了