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Low frequency noise to study the quality of novel devices

Low frequency noise to study the quality of novel devices
用于研究新型设备质量的低频噪声
批准号:
EP/F044666/1
负责人:
Kristel Fobelets
金额:
$3.49万
依托单位:
依托单位国家:
英国
项目类别:
Research Grant
财政年份:
2007
资助国家:
英国
项目状态:
已结题
起止时间:
2007 至 --

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
在新型半导体器件的开发过程中,需要探索不同的主题,例如器件操作背后的物理学,构建器件的材料质量,所需的制造技术和表征技术,这些技术将更好地了解器件的操作。后者为优化过程提供反馈,旨在获得成功的设备。设备的实验评估可以分为两个不同的类别,一个是评估的材料,从该设备将被制成,另一个是通过电气或光学测量制造的设备本身。虽然材料表征是器件开发的重要第一步,但不应忽视制造技术本身会影响材料质量,从而可能降低器件性能。该小组拥有许多电气特性技术方面的专业知识,但缺乏研究材料质量的低频噪声测量技术方面的专业知识。这种技术提供了有趣的额外机会,因为材料中缺陷的发生与器件中的低频噪声之间存在相关性。因此,通过分析噪声频谱,可能作为温度的函数,可以表征有源器件中出现的不同缺陷。一旦陷阱被表征,就可以对其发生的原因进行分析,并且可以基于结论来改进设备,或者可以比较不同的设备。
英文摘要
During the development of novel semiconductor devices different topics need to be explored such as the physics behind the device operation, the material quality from which the devices are constructed, the fabrication technology required and the characterisation techniques that will give a better insight into the operation of the devices. The latter gives feedback into the optimisation process aimed towards a successful device. Experimental evaluation of the device can be split in two different categories, one is the evaluation of the material from which the devices will be made and the other one is via electrical or optical measurements on the fabricated devices themselves. Although material characterisation is the essential first step in the development of devices, one should not disregard that fabrication technology itself can impact on the material quality and thus potentially degrade the device performance. Expertise on many of the electrical characterisation techniques are available in the group, however expert know-how on the low frequency noise measurement technique to study the quality of the material is lacking. This techniques offers interesting extra opportunities as there exists a correlation between the occurrence of defects in the material and the low frequency noise in the device. Thus, via an analysis of the noise spectrum, possibly as a function of temperature, different defects that occur in the active device can be characterised. Once the traps are characterised an analysis of the reason for their occurrence can be made and the device can be improved based on the conclusions, or different devices can be compared.
期刊论文(3)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
1/f Noise and trap density in n-channel strained-Si/SiGe modulation doped field effect transistors
n 沟道应变 Si/SiGe 调制掺杂场效应晶体管中的 1/f 噪声和陷阱密度
DOI: 10.1016/j.sse.2009.03.022
发表时间: 2009
期刊: Solid-State Electronics
影响因子: 1.7
作者: [Fobelets K]
通讯作者: Fobelets K
ANALOG AND DIGITAL PERFORMANCE OF THE SCREEN-GRID FIELD EFFECT TRANSISTOR (SGRFET)
丝网栅场效应晶体管 (SGRFET) 的模拟和数字性能
DOI: 10.1142/s012915640800576x
发表时间: 2011
期刊: International Journal of High Speed Electronics and Systems
影响因子: --
作者: [FOBELETS K]
通讯作者: FOBELETS K
Screen-Grid FET Fabrication / progressing pump priming project
  • 批准号:
    EP/F026129/1
  • 项目类别:
    Research Grant
  • 资助金额:
    $10.25万
  • 财政年份:
    2007
  • 负责人:
    Kristel Fobelets
  • 依托单位:
SI/SIGE NANOWIRE ARRAYS FOR THERMOELECTRICITY
  • 批准号:
    EP/F027753/1
  • 项目类别:
    Research Grant
  • 资助金额:
    $15.75万
  • 财政年份:
    2007
  • 负责人:
    Kristel Fobelets
  • 依托单位:
Novel nano-scale Screen-grid FET technology for ultra low power applications
  • 批准号:
    EP/E023150/1
  • 项目类别:
    Research Grant
  • 资助金额:
    $18.41万
  • 财政年份:
    2006
  • 负责人:
    Kristel Fobelets
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
转录延伸因子参与粗糙脉孢菌生物钟基因frequency表达调控分子机制的研究
  • 批准号:
    --
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    58万元
  • 批准年份:
    2021
  • 负责人:
    何群
  • 依托单位:
基于高频信息下高维波动率矩阵估计及应用
  • 批准号:
    71901118
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    18.0万元
  • 批准年份:
    2019
  • 负责人:
    穆燕
  • 依托单位:
高频数据波动率统计推断、预测与应用
  • 批准号:
    71971118
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    50.0万元
  • 批准年份:
    2019
  • 负责人:
    孔新兵
  • 依托单位:
粗糙脉孢菌生物钟基因frq转录抑制因子的筛选及其作用机制研究
  • 批准号:
    31330004
  • 项目类别:
    重点项目
  • 资助金额:
    289.0万元
  • 批准年份:
    2013
  • 负责人:
    何群
  • 依托单位: