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In situ deep level transient spectroscopy for implantation defects in semiconductors
用于半导体注入缺陷的原位深能级瞬态光谱
基本信息
- 批准号：241221-2001
- 负责人：
- 金额：$ 7.29万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Research Tools and Instruments - Category 1 (<$150,000)
- 财政年份：2000
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2000-01-01 至 2001-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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Schiettekatte, Francois其他文献
Fast Monte Carlo for ion beam analysis simulations
- DOI：
10.1016/j.nimb.2007.11.075 - 发表时间：
2008-04-01 - 期刊：
- 影响因子：1.3
- 作者：
Schiettekatte, Francois - 通讯作者：
Schiettekatte, Francois
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- 批准号：
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- 资助金额：
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238907-2001 - 财政年份：2002
- 资助金额：
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Dynamics of implantation defects in semiconductors / Tribology of self-implanted metals
半导体中注入缺陷的动力学/自注入金属的摩擦学
- 批准号：
238907-2001 - 财政年份：2000
- 资助金额：
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