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Trackling defects in semiconductors
跟踪半导体缺陷
基本信息
- 批准号：238907-2004
- 负责人：
- 金额：$ 2.53万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Discovery Grants Program - Individual
- 财政年份：2006
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2006-01-01 至 2007-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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Schiettekatte, Francois其他文献
Fast Monte Carlo for ion beam analysis simulations
- DOI：
10.1016/j.nimb.2007.11.075 - 发表时间：
2008-04-01 - 期刊：
- 影响因子：1.3
- 作者：
Schiettekatte, Francois - 通讯作者：
Schiettekatte, Francois
Schiettekatte, Francois的其他文献
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{{ truncateString('Schiettekatte, Francois', 18)}}的其他基金
Developing methods of ultrathin films characterisation: nanocalorimetry and ion beam analysis
开发超薄膜表征方法：纳米量热法和离子束分析
- 批准号：
238907-2009 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Developing methods of ultrathin films characterisation: nanocalorimetry and ion beam analysis
开发超薄膜表征方法：纳米量热法和离子束分析
- 批准号：
238907-2009 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Trackling defects in semiconductors
跟踪半导体缺陷
- 批准号：
238907-2004 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Trackling defects in semiconductors
跟踪半导体缺陷
- 批准号：
238907-2004 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Trackling defects in semiconductors
跟踪半导体缺陷
- 批准号：
238907-2004 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Trackling defects in semiconductors
跟踪半导体缺陷
- 批准号：
238907-2004 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Dynamics of implantation defects in semiconductors / Tribology of self-implanted metals
半导体中注入缺陷的动力学/自注入金属的摩擦学
- 批准号：
238907-2001 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Dynamics of implantation defects in semiconductors / Tribology of self-implanted metals
半导体中注入缺陷的动力学/自注入金属的摩擦学
- 批准号：
238907-2001 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Dynamics of implantation defects in semiconductors / Tribology of self-implanted metals
半导体中注入缺陷的动力学/自注入金属的摩擦学
- 批准号：
238907-2001 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
In situ deep level transient spectroscopy for implantation defects in semiconductors
用于半导体注入缺陷的原位深能级瞬态光谱
- 批准号：
241221-2001 - 财政年份：2000
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
Research Tools and Instruments - Category 1 (<$150,000)
相似国自然基金
酶响应的中性粒细胞外泌体载药体系在眼眶骨缺损修复中的作用及机制研究
- 批准号：82371102
- 批准年份：2023
- 资助金额：49.00 万元
- 项目类别：面上项目
22q11.2染色体微重复影响TOP3B表达并导致腭裂发生的机制研究
- 批准号：82370906
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- 项目类别：面上项目
纳米微粒载NF-κB圈套基因对神经发育缺陷大鼠模型的干预研究
- 批准号：30870892
- 批准年份：2008
- 资助金额：8.0 万元
- 项目类别：面上项目
液晶聚合物流体的多尺度建模与计算
- 批准号：10726015
- 批准年份：2007
- 资助金额：3.0 万元
- 项目类别：数学天元基金项目
相似海外基金
Conference: 2024 Defects in Semiconductors GRC/GRS
会议：2024 年半导体缺陷 GRC/GRS
- 批准号：
2414677 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
Standard Grant
Nanoscale photophysics at defects and interfaces in organic semiconductors
有机半导体缺陷和界面的纳米光物理
- 批准号：
EP/V044907/1 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
Research Grant
Developing a deeper understanding of doping and defects in metal oxide semiconductors
加深对金属氧化物半导体掺杂和缺陷的了解
- 批准号：
2825196 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
Studentship
Characterization and control of defects in low-temperature-grown Bi-based compound semiconductors for novel terahertz wave emitters and detectors
用于新型太赫兹波发射器和探测器的低温生长铋基化合物半导体的缺陷表征和控制
- 批准号：
21K04910 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Effective use of characteristics of Bi-based III-V compound semiconductors by controlling point defects density inside their crystals grown at low temperatures
通过控制低温生长晶体内部的点缺陷密度，有效利用Bi基III-V族化合物半导体的特性
- 批准号：
21H01829 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Film-like Acoustic Microresonators for Wireless Monitoring of Intracardiac Pressure using Ultrasound
使用超声波无线监测心内压的薄膜式声学微谐振器
- 批准号：
10396479 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
GRC Defects in Semiconductors: Defect Formation, Characterization, Control and Utilization
半导体中的 GRC 缺陷：缺陷形成、表征、控制和利用
- 批准号：
2023837 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
Standard Grant
Collaborative Research: Defects and Dopants in Critical Wide Band Gap Semiconductors - ZnO, InGaZnO, Ga2O3 and ScN
合作研究：关键宽带隙半导体中的缺陷和掺杂剂 - ZnO、InGaZnO、Ga2O3 和 ScN
- 批准号：
1800130 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
Standard Grant
Collaborative Research: Defects and Dopants in Critical Wide Band Gap Semiconductors - ZnO, InGaZnO, Ga2O3, and ScN
合作研究：关键宽带隙半导体中的缺陷和掺杂剂 - ZnO、InGaZnO、Ga2O3 和 ScN
- 批准号：
1800139 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
Standard Grant
Instrument to identify defects and impurities in wide band gap semiconductors via excited states
通过激发态识别宽带隙半导体中的缺陷和杂质的仪器
- 批准号：
EP/P015581/1 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.53万 - 项目类别：
Research Grant