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Defects and strain in semiconductor heterostructures and magnetic metal multilayers
半导体异质结构和磁性金属多层中的缺陷和应变
基本信息
- 批准号：222903-1999
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：University Faculty Award
- 财政年份：2003
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2003-01-01 至 2004-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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Kavanagh, Karen其他文献
Getting Started Getting Students Modeling: Designing and Facilitating Open-ended Math Modeling Experiences
开始让学生建模：设计和促进开放式数学建模体验
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Galluzzo, Benjamin;Kavanagh, Karen - 通讯作者：
Kavanagh, Karen
Kavanagh, Karen的其他文献
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{{ truncateString('Kavanagh, Karen', 18)}}的其他基金
Transmission Helium Ion Microscopy
透射氦离子显微镜
- 批准号：
RGPIN-2019-05086 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Transmission Helium Ion Microscopy
透射氦离子显微镜
- 批准号：
RGPIN-2019-05086 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Development of a Negative He ion source with Non-Metallic Charge Exchange
非金属电荷交换负氦离子源的开发
- 批准号：
567136-2021 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Alliance Grants
Transmission Helium Ion Microscopy
透射氦离子显微镜
- 批准号：
RGPIN-2019-05086 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Transmission Helium Ion Microscopy
透射氦离子显微镜
- 批准号：
RGPAS-2019-00059 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Accelerator Supplements
Transmission Helium Ion Microscopy
透射氦离子显微镜
- 批准号：
RGPIN-2019-05086 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Transmission Helium Ion Microscopy
透射氦离子显微镜
- 批准号：
RGPAS-2019-00059 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Accelerator Supplements
Graphene Composite Conductivity**
石墨烯复合材料电导率**
- 批准号：
537160-2018 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Engage Grants Program
Picometer Probes for Defects in Nanostructures
用于纳米结构缺陷的皮米探针
- 批准号：
RGPIN-2014-04684 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Picometer Probes for Defects in Nanostructures
用于纳米结构缺陷的皮米探针
- 批准号：
RGPIN-2014-04684 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
相似国自然基金
固定化Ochrobactrum sp. strain FJ1@Fe NPs协同去除水中内分泌干扰物17-雌二醇的机制
- 批准号：2022J01649
- 批准年份：2022
- 资助金额：10.0 万元
- 项目类别：省市级项目
Pseudomonas sp. strain JS3051分解代谢2,3-二氯硝基苯的机理研究
- 批准号：31900075
- 批准年份：2019
- 资助金额：26.0 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
基于Rhodococcus sp. strain p52二噁英降解质粒接合转移的二噁英污染的基因强化修复机制研究
- 批准号：21876100
- 批准年份：2018
- 资助金额：66.0 万元
- 项目类别：面上项目
古菌Haloferax sp. strain D1227 通过龙胆酸分解代谢3-苯丙酸的分子机理研究
- 批准号：31570100
- 批准年份：2015
- 资助金额：63.0 万元
- 项目类别：面上项目
Alcaligenes faecalis strain NR 异养脱氮途径及其酶调控机制
- 批准号：51208534
- 批准年份：2012
- 资助金额：25.0 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
Pannexin1通道蛋白与p38MAPK信号通路在应力刺激促进人MSC增殖成骨中的作用
- 批准号：30973071
- 批准年份：2009
- 资助金额：30.0 万元
- 项目类别：面上项目
应变玻璃合金相变机理及其特性的原子模拟与实验验证
- 批准号：50771079
- 批准年份：2007
- 资助金额：36.0 万元
- 项目类别：面上项目
相似海外基金
Semiconductor nanostructures: surfaces, strain and devices
半导体纳米结构：表面、应变和器件
- 批准号：
RGPIN-2020-05721 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Development of Flexible Graphene-nanoribbon-base Biochemical Sensors with Highly Strain-controllable Selectivity and Reliability
开发具有高度应变可控选择性和可靠性的柔性石墨烯纳米带生化传感器
- 批准号：
21K20393 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
Semiconductor nanostructures: surfaces, strain and devices
半导体纳米结构：表面、应变和器件
- 批准号：
RGPIN-2020-05721 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Semiconductor nanostructures: surfaces, strain and devices
半导体纳米结构：表面、应变和器件
- 批准号：
DGECR-2020-00433 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Discovery Launch Supplement
Semiconductor nanostructures: surfaces, strain and devices
半导体纳米结构：表面、应变和器件
- 批准号：
RGPIN-2020-05721 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Establishment of buckling peeling damage prevention technology and evaluation/design method for flexible organic semiconductor devices
柔性有机半导体器件屈曲剥离损伤预防技术及评价/设计方法的建立
- 批准号：
18K03901 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of measurement method for temperature/strain distribution in light-emitting and electric-power devices of nitride semiconductor
氮化物半导体发光及电力器件温度/应变分布测量方法的开发
- 批准号：
18H01429 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of high-accuracy measurement technique for micro/nano-scale strain and residual strain distributions of semiconductor devices
半导体器件微纳尺度应变及残余应变分布高精度测量技术开发
- 批准号：
18K13665 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Spectro-photoelastic imaging of local strain fields in semiconductor devices
半导体器件局部应变场的分光光弹性成像
- 批准号：
17K05040 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Establishing protocols for fast, non-destructive, and large-area mapping of strain in semiconductor materials and devices
建立半导体材料和器件中快速、无损、大面积应变绘图的协议
- 批准号：
483614-2015 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Engage Grants Program