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Relaxation of strained GaN thin films by light ion implantation

通过轻离子注入松弛应变 GaN 薄膜

基本信息

批准号：
444961-2012
负责人：
Ross, Guy
金额：
$ 1.82万
依托单位：
Institut national de la recherche scientifique
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Engage Grants Program
财政年份：
2012
资助国家：
加拿大
起止时间：
2012-01-01 至 2013-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=510786
关键词：
Relaxation strained GaN thin films

项目摘要

Osemi Canada fabricates GaN semiconductor films by epitaxy growth on sapphire substrates, for novel

Osemi Canada通过在蓝宝石衬底上外延生长来制造GaN半导体薄膜，

项目成果

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专利数量（0）

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批准号：
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财政年份：
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资助金额：
$ 1.82万
项目类别：
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财政年份：
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资助金额：
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资助金额：
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财政年份：
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$ 1.82万
项目类别：
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批准号：
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