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Relaxation of strained GaN thin films by light ion implantation

Relaxation of strained GaN thin films by light ion implantation
通过轻离子注入松弛应变 GaN 薄膜
批准号：
444961-2012
负责人：
Ross, Guy
金额：
$1.82万
依托单位：
Institut national de la recherche scientifique
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Engage Grants Program
财政年份：
2012
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-01-01 至 2013-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=510786
关键词：
RelaxationstrainedGaNthinfilms

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Osemi Canada fabricates GaN semiconductor films by epitaxy growth on sapphire substrates, for novel
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Improvement of nitrogen uptake on steel and stainless steel during gaseous nitriding
Thermal resistance improvement of germanium fiber Bragg gratings
Properties of nanostructures produced by ion implantation
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基于多孔硅键合氧化技术直接在绝缘体上制备无位错应变硅材料的研究
  • 批准号：
    60776018
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    34.0万元
  • 批准年份：
    2007
  • 负责人：
    张轩雄
  • 依托单位：
    上海理工大学