Impact des techniques récentes et émergentes d'encapsulation des circuits intégrés sur la qualité de leur alimentation et incidences sur le test et diagnostic

电路集成技术的最新发展和封装对食品质量的影响以及测试和诊断的发生率

• 批准号: 153106-2013
• 负责人: Thibeault, Claude
• 金额: $ 2.55万
• 依托单位: École de technologie supérieure
• 依托单位国家: 加拿大
• 项目类别: Discovery Grants Program - Individual
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 加拿大
• 起止时间: 2013-01-01 至 2014-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=522521
• 关键词: Impact; des; techniques; centes; et

Ce programme de recherche porte sur les techniques récentes, voire émergentes, d'encapsulation des circuits intégrés, connues sous le nom d'encapsulation 2.5D et 3D. L'encapsulation 2.5D, qui est depuis peu disponible sur certains circuits intégrés commerciaux, consiste à empiler des dés de silicium, les uns à côté des autres, sur une couche intermédiaire passive de silicium, au travers de laquelle on retrouve des interconnections sous forme de colonnes verticales (« Through-Silicon Vias, TSV »). L'encapsulation 3D, quant à elle, consiste à empiler des dés de silicium, les uns par-dessus les autres. Dans ce cas, les TSV sont présents dans les dés empilés. Par rapport à l'encapsulation conventionnelle (2D), ces techniques offrent un très grand potentiel en termes de bande passante et performance, et ce pour une faible puissance de dissipation. Si le potentiel de l'encapsulation 3D est encore plus intéressant, cette technique se heurte à davantage de défis, notamment en ce

Ce programme de recherche porte sur les techniques récentes，voire émergentes，d'encapsulation des circuits intégrés，connues sous le nom d'encapsulation 2.5D et 3D. L'encapsulation 2.5D，whi est depuis peu disponible sur certains circuits intégrés commerciaux，consiste à empier des dés de silicium，les uns à côté des autres，sur une couche intermediaire passive de silicium，Au travers de laquelle on retrouve des interconnections sous forme de colonnes verticales（“硅通孔，TSV”）. L'encapsulation 3D，quant à elle，consiste à empier des dés de silicium，les uns par-dessus les autres.在这种情况下，TSV将出现在企业中。与传统封装（2D）相比，这些技术在传输带和性能方面具有巨大的潜力，而且耗散能力很弱。如果3D封装的潜力再大一些，那么这种技术将具有很大的优势，尤其是