Équipements requis dans le cycle de fabrication des circuits MMIC à base de HEMT-GaN.

MMIC 电路制造周期所需的设备 à HEMT-GaN 基础。

• 批准号: 440231-2013
• 负责人: Maher, Hassan
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Université de Sherbrooke
• 依托单位国家: 加拿大
• 项目类别: Research Tools and Instruments - Category 1 (<$150,000)
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 加拿大
• 起止时间: 2013-01-01 至 2014-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=534036
• 关键词: quipements; requis; dans; le; cycle

Dans le domaine de la microélectronique, le matériau le plus utilisé est le silicium. Pour répondre aux diverses demandes du marché de plus en plus exigeantes, ce matériau arrive à faire des efforts considérables sur la miniaturisation du composant tout en étant limité par ses propriétés physiques très modestes. Ceci présente une grande opportunité pour les semi-conducteurs III-V qui offrent une très bonne alternative et un choix très varié de matériaux avec des propriétés électriques et optiques dépassant largement celles du Silicium. En effet, les sujets proposés traitent de la technologie de fabrication des circuits MMIC à base de ces matériaux III-V et plus particulièrement à base du nitrure de Gallium qui est un matériau à très grand gap. Dans ce contexte on développe au sein du Centre de Recherche en Nano-fabrication et Nano-caractérisation (CRN2) de l'Université de Sherbrooke une nouvelle filière technologique de fabrication de circuits HEMT à base du GaN. Ces composants répondront aux besoins de différents domaines d'applications, entre autres, télécommunications, sécurité, défense, spatiale et énergie.

在微电子领域，最常用的材料是硅。为了应对各种各样的需求，加上紧急情况下，该材料到达faire des considerables sur la refinisation du composant tout en étant limité par ses propriététés physiques très modestes。Ceci presente une appropriately opportunité pour les semiconductorIII-V whi offrent une très bonne alternative et un choix très varié de matériaux avec des propriétés électriques et optiques dépassant acelles du Silicium.实际上，这些方法适合于基于III-V族材料的MMIC电路制造技术，尤其是基于镓氮化物的MMIC电路制造技术，镓氮化物是一种非常大的间隙材料。在舍布鲁克大学纳米制造和纳米化研究中心（CRN 2）的Au研究背景下，一个新的基于GaN的HEMT电路制造技术子公司。这些内容反映了不同应用领域的需求，包括其他领域、电信、安全、国防、空间和能源。