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Controlling the forming and switching characteristics of non-volatile resistive memory devices using ion-implantation
使用离子注入控制非易失性电阻存储器件的形成和切换特性
基本信息
- 批准号：LP120100272
- 负责人：
- 金额：$ 24.02万
- 依托单位：
- 依托单位国家：澳大利亚
- 项目类别：Linkage Projects
- 财政年份：2012
- 资助国家：澳大利亚
- 起止时间：2012-01-01 至 2016-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
This project will develop new techniques for improving the reliability and endurance of a new class of non-volatile memory devices for use in portable electronics and embedded electronic systems. Such developments are essential for the development of next-generation devices.
该项目将开发新技术，以提高用于便携式电子产品和嵌入式电子系统的新型非易失性存储器设备的可靠性和耐用性。 这些发展对于下一代设备的开发至关重要。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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DP0343308 - 财政年份：2003
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- 批准号：
2322840 - 财政年份：2024
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$ 24.02万 - 项目类别：
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DE240100885 - 财政年份：2024
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$ 24.02万 - 项目类别：
Discovery Early Career Researcher Award
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- 批准号：
23K25917 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 24.02万 - 项目类别：
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10063986 - 财政年份：2023
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$ 24.02万 - 项目类别：
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- 批准号：
EP/Y014383/1 - 财政年份：2023
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