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Understanding and improving resistive-switching in hafnium-oxide-based high-k dielectrics for non-volatile memory applications

Understanding and improving resistive-switching in hafnium-oxide-based high-k dielectrics for non-volatile memory applications
了解和改进非易失性存储器应用中氧化铪基高 k 电介质的电阻开关
批准号：
DP120101101
负责人：
Prof Robert Elliman
金额：
$21.52万
依托单位：
The Australian National University
依托单位国家：
澳大利亚
项目类别：
Discovery Projects
财政年份：
2012
资助国家：
澳大利亚
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-01-01 至 2015-12-31
来源：
https://dataportal.arc.gov.au/RGS/Web/Grants/DP120101101
关键词：
Understandingimprovingresistiveswitchinghafnium

项目摘要

项目成果

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This project aims to develop the technology for fabricating a new class of high-density, non-volatile memory for use in portable electronic devices and other embedded electronic systems.
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会议论文
Electrical contact engineering for next generation semiconductor devices
  • 批准号：
    LP190100010
  • 项目类别：
    Linkage Projects
  • 资助金额：
    $21.79万
  • 财政年份：
    2021
  • 负责人：
    Prof Robert Elliman
  • 依托单位：
    The Australian National University
Ion-beam synthesis of functional oxides for next generation memory devices
  • 批准号：
    LP150100693
  • 项目类别：
    Linkage Projects
  • 资助金额：
    $28.52万
  • 财政年份：
    2016
  • 负责人：
    Prof Robert Elliman
  • 依托单位：
    The Australian National University
Controlling the forming and switching characteristics of non-volatile resistive memory devices using ion-implantation
  • 批准号：
    LP120100272
  • 项目类别：
    Linkage Projects
  • 资助金额：
    $24.02万
  • 财政年份：
    2012
  • 负责人：
    Prof Robert Elliman
  • 依托单位：
    The Australian National University
Switching mechanisms in nonvolatile resistive memory using high-k dielectrics
  • 批准号：
    LP0989488
  • 项目类别：
    Linkage Projects
  • 资助金额：
    $13.75万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    Prof Robert Elliman
  • 依托单位：
    The Australian National University
国内基金
海外基金
Improving modelling of compact binary evolution.
  • 批准号：
    10903001
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    20.0万元
  • 批准年份：
    2009
  • 负责人：
    史蒂芬
  • 依托单位：
    北京大学