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Understanding and improving resistive-switching in hafnium-oxide-based high-k dielectrics for non-volatile memory applications
了解和改进非易失性存储器应用中氧化铪基高 k 电介质的电阻开关
基本信息
- 批准号：DP120101101
- 负责人：
- 金额：$ 21.52万
- 依托单位：
- 依托单位国家：澳大利亚
- 项目类别：Discovery Projects
- 财政年份：2012
- 资助国家：澳大利亚
- 起止时间：2012-01-01 至 2015-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
This project aims to develop the technology for fabricating a new class of high-density, non-volatile memory for use in portable electronic devices and other embedded electronic systems.
本项目旨在开发用于便携式电子设备和其他嵌入式电子系统的新型高密度非易失性存储器的制造技术。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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