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Improved CMOS non-volatile memory by the study and modeling of electrical breakdown in thin SiOx
通过薄 SiOx 中电击穿的研究和建模改进了 CMOS 非易失性存储器
基本信息
- 批准号：462398-2014
- 负责人：
- 金额：$ 1.82万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Engage Grants Program
- 财政年份：2014
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2014-01-01 至 2015-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Sidense develops industry-leading, one time programmable (OTP) embedded Non-Volatile Memory (NVM) IP that is utilized
Sidense开发行业领先的一次性可编程(OTP)嵌入式非易失性存储器(NVM)IP
项目成果
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355429-2013 - 财政年份：2016
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Electron and nuclear spins at the frontiers of nanotechnology and quantum information science
纳米技术和量子信息科学前沿的电子和核自旋
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355429-2013 - 财政年份：2015
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