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Germanium for next generation photonic and microelectronic devices
用于下一代光子和微电子设备的锗
基本信息
- 批准号：RGPIN-2017-04698
- 负责人：
- 金额：$ 3.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Discovery Grants Program - Individual
- 财政年份：2021
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2021-01-01 至 2022-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Ge-on-Si lasers; germanium; heterojunction bipolar transisstors; material characterizations; monolithic integration of III-V on Si; semiconductor processing and modeling; silicon-compatible lasers; silicon photonics
Ge-on-Si激光器；锗；异质结双极过渡器；材料表征；硅上III-V单片集成；半导体加工和建模；硅兼容激光器；硅光子学
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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Stress Engineering With Silicon Nitride Stressors for Ge-on-Si Lasers
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Xia, Guangrui', 18)}}的其他基金
Germanium for next generation photonic and microelectronic devices
用于下一代光子和微电子设备的锗
- 批准号：
RGPIN-2017-04698 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Germanium for next generation photonic and microelectronic devices
用于下一代光子和微电子设备的锗
- 批准号：
RGPIN-2017-04698 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Germanium for next generation photonic and microelectronic devices
用于下一代光子和微电子设备的锗
- 批准号：
RGPIN-2017-04698 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Germanium for next generation photonic and microelectronic devices
用于下一代光子和微电子设备的锗
- 批准号：
RGPIN-2017-04698 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
SiGe and stress technology for next generations of high performance electronic and photonic devices
用于下一代高性能电子和光子器件的 SiGe 和应力技术
- 批准号：
372060-2009 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
SiGe and stress technology for next generations of high performance electronic and photonic devices
用于下一代高性能电子和光子器件的 SiGe 和应力技术
- 批准号：
372060-2009 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Modeling and simulations of SiGe interdiffusion and ion implantation in CSUPREM
CSUPREM 中 SiGe 相互扩散和离子注入的建模和仿真
- 批准号：
451484-2013 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
Collaborative Research and Development Grants
Modeling and simulations of SiGe interdiffusion and ion implantation in CSUPREM
CSUPREM 中 SiGe 相互扩散和离子注入的建模和仿真
- 批准号：
451484-2013 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
Collaborative Research and Development Grants
SiGe and stress technology for next generations of high performance electronic and photonic devices
用于下一代高性能电子和光子器件的 SiGe 和应力技术
- 批准号：
372060-2009 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
SiGe and stress technology for next generations of high performance electronic and photonic devices
用于下一代高性能电子和光子器件的 SiGe 和应力技术
- 批准号：
372060-2009 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
相似国自然基金
Next Generation Majorana Nanowire Hybrids
- 批准号：
- 批准年份：2020
- 资助金额：20 万元
- 项目类别：
相似海外基金
Collaborative Research: Constraining next generation Cascadia earthquake and tsunami hazard scenarios through integration of high-resolution field data and geophysical models
合作研究：通过集成高分辨率现场数据和地球物理模型来限制下一代卡斯卡迪亚地震和海啸灾害情景
- 批准号：
2325311 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
Standard Grant
SBIR Phase II: Thermally-optimized power amplifiers for next-generation telecommunication and radar
SBIR 第二阶段：用于下一代电信和雷达的热优化功率放大器
- 批准号：
2335504 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
Cooperative Agreement
CAREER: Next-generation Logic, Memory, and Agile Microwave Devices Enabled by Spin Phenomena in Emergent Quantum Materials
职业：由新兴量子材料中的自旋现象实现的下一代逻辑、存储器和敏捷微波器件
- 批准号：
2339723 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
Continuing Grant
CAREER: Securing Next-Generation Transportation Infrastructure: A Traffic Engineering Perspective
职业：保护下一代交通基础设施：交通工程视角
- 批准号：
2339753 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
Standard Grant
Next-Generation Distributed Graph Engine for Big Graphs
适用于大图的下一代分布式图引擎
- 批准号：
DP240101322 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
Discovery Projects
Next Generation Fluorescent Tools for Measuring Autophagy Dynamics in Cells
用于测量细胞自噬动态的下一代荧光工具
- 批准号：
DP240100465 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
Discovery Projects
Carbon emission oriented next generation building energy management system
以碳排放为导向的下一代建筑能源管理系统
- 批准号：
24K20901 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
van der Waals Heterostructures for Next-generation Hot Carrier Photovoltaics
用于下一代热载流子光伏的范德华异质结构
- 批准号：
EP/Y028287/1 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
Fellowship
MagTEM2 - the next generation microscope for imaging functional materials
MagTEM2 - 用于功能材料成像的下一代显微镜
- 批准号：
EP/Z531078/1 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
Research Grant
Next Generation Glioma Treatments using Direct Light Therapy
使用直接光疗法的下一代神经胶质瘤治疗
- 批准号：
10092859 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 3.5万 - 项目类别：
EU-Funded