硅上β-FeSi2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究
批准号:
69576036
项目类别:
面上项目
资助金额:
10.0 万元
负责人:
林成鲁
依托单位:
学科分类:
半导体器件物理
结题年份:
1998
批准年份:
1995
项目状态:
已结题
项目参与者:
王连卫、林贤、陈向东、郑立荣、沈勤我、倪如山
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
登录
查看更多内容
Influence of the addition co and Ni on the formation of epitaxial semiconducting β-FeSi2;Comparison of different evaporation methods
Co和Ni的添加对外延半导体β-FeSi2形成的影响;不同蒸发方法的比较
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
Journal of Applied Physics
影响因子:
3.2
作者:
[D.Mangelinck,王连卫, 林成鲁]
通讯作者:
林成鲁
Optical transition in β-FeSi2 film
β-FeSi2 薄膜中的光学跃迁
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
Physical Review
影响因子:
--
作者:
[王连卫,杨凯,林成鲁]
通讯作者:
王连卫,杨凯,林成鲁
Structural Characterization of Codeposition Growth β-FeSi2 Film
共沉积生长 β-FeSi2 薄膜的结构表征
DOI:
10.1143/jjap.37.622
发表时间:
1998
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
[Chenglu Lin, Lianwei Wang, Xiangdong Chen, L. Chen, Liang Wang]
通讯作者:
Liang Wang
Characterization of FeSix film by codeposition on β-FeSi2 template
β-FeSi2 模板上共沉积表征 FeSix 薄膜
DOI:
--
发表时间:
--
期刊:
Applied Physics Letters
影响因子:
4
作者:
[陈向东,王连卫,林成鲁]
通讯作者:
陈向东,王连卫,林成鲁
SiGe-OI新材料的研究
-
批准号:60476006
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:27.0万元
-
批准年份:2004
-
负责人:林成鲁
-
依托单位:
LiTaO3/Si结构的智能剥离(Smart-cut)研究
-
批准号:90101012
-
项目类别:重大研究计划
-
资助金额:23.0万元
-
批准年份:2001
-
负责人:林成鲁
-
依托单位:
以AlN为绝缘埋层的新型SOI材料探索
-
批准号:69976034
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:17.3万元
-
批准年份:1999
-
负责人:林成鲁
-
依托单位:
硅中H+,He+离子注入引起的纳米孔层及其应用探索
-
批准号:19775062
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:12.0万元
-
批准年份:1997
-
负责人:林成鲁
-
依托单位:
BF+2分子离子注入硅辐射损伤的反常行为
-
批准号:19375057
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:7.0万元
-
批准年份:1993
-
负责人:林成鲁
-
依托单位:
国内基金
海外基金