课题基金 / 基金详情

硅上β-FeSi2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究

批准号:
69576036
项目类别:
面上项目
资助金额:
10.0 万元
负责人:
林成鲁
学科分类:
半导体器件物理
结题年份:
1998
批准年份:
1995
项目状态:
已结题
项目参与者:
王连卫、林贤、陈向东、郑立荣、沈勤我、倪如山

项目成果

林成鲁的其他基金

相似基金

相关文献

期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
Influence of the addition co and Ni on the formation of epitaxial semiconducting β-FeSi2;Comparison of different evaporation methods
Co和Ni的添加对外延半导体β-FeSi2形成的影响;不同蒸发方法的比较
DOI: --
发表时间: --
期刊: Journal of Applied Physics
影响因子: 3.2
作者: [D.Mangelinck,王连卫, 林成鲁]
通讯作者: 林成鲁
Optical transition in β-FeSi2 film
β-FeSi2 薄膜中的光学跃迁
DOI: --
发表时间: --
期刊: Physical Review
影响因子: --
作者: [王连卫,杨凯,林成鲁]
通讯作者: 王连卫,杨凯,林成鲁
Structural Characterization of Codeposition Growth β-FeSi2 Film
共沉积生长 β-FeSi2 薄膜的结构表征
DOI: 10.1143/jjap.37.622
发表时间: 1998
期刊: Japanese Journal of Applied Physics
影响因子: 1.5
作者: [Chenglu Lin, Lianwei Wang, Xiangdong Chen, L. Chen, Liang Wang]
通讯作者: Liang Wang
Characterization of FeSix film by codeposition on β-FeSi2 template
β-FeSi2 模板上共沉积表征 FeSix 薄膜
DOI: --
发表时间: --
期刊: Applied Physics Letters
影响因子: 4
作者: [陈向东,王连卫,林成鲁]
通讯作者: 陈向东,王连卫,林成鲁
SiGe-OI新材料的研究
LiTaO3/Si结构的智能剥离(Smart-cut)研究
以AlN为绝缘埋层的新型SOI材料探索
硅中H+,He+离子注入引起的纳米孔层及其应用探索
国内基金
海外基金