LiTaO3/Si结构的智能剥离(Smart-cut)研究

批准号:
90101012
项目类别:
重大研究计划
资助金额:
23.0 万元
负责人:
林成鲁
依托单位:
学科分类:
F0401.半导体材料
结题年份:
2004
批准年份:
2001
项目状态:
已结题
项目参与者:
万青、多新中、刘卫丽、章宁琳、门传玲、沈勤我
关键词:
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
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中文摘要
采用改进的智能剥离技术以LiTaO3为主要对象,研究氢、硼氢共注入、以及氦氢共注入和后续热处理对气泡层形成的影响和内部应力行为,通过优化注入与热处理条件,实现单晶薄层的分离。研究L.TaO3为代表的压电、铁电等单晶材料与硅的键合,进而实现LiTaO3薄层的智能剥离与转移,获得LiTaO3/Si新材料,为系统集成特别是光电子集成提供新技术依据。.
英文摘要
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
SiGe-OI新材料的研究
- 批准号:60476006
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:27.0万元
- 批准年份:2004
- 负责人:林成鲁
- 依托单位:
以AlN为绝缘埋层的新型SOI材料探索
- 批准号:69976034
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:17.3万元
- 批准年份:1999
- 负责人:林成鲁
- 依托单位:
硅中H+,He+离子注入引起的纳米孔层及其应用探索
- 批准号:19775062
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:12.0万元
- 批准年份:1997
- 负责人:林成鲁
- 依托单位:
硅上β-FeSi2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究
- 批准号:69576036
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:10.0万元
- 批准年份:1995
- 负责人:林成鲁
- 依托单位:
BF+2分子离子注入硅辐射损伤的反常行为
- 批准号:19375057
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:7.0万元
- 批准年份:1993
- 负责人:林成鲁
- 依托单位:
国内基金
海外基金
