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LiTaO3/Si结构的智能剥离(Smart-cut)研究

批准号：
90101012
项目类别：
重大研究计划
资助金额：
23.0 万元
负责人：
林成鲁
依托单位：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2004
批准年份：
2001
项目状态：
已结题
项目参与者：
万青、多新中、刘卫丽、章宁琳、门传玲、沈勤我
关键词：
薄层转移.智能剥离.离子注入

项目摘要

结项摘要

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中文摘要
采用改进的智能剥离技术以LiTaO3为主要对象，研究氢、硼氢共注入、以及氦氢共注入和后续热处理对气泡层形成的影响和内部应力行为，通过优化注入与热处理条件，实现单晶薄层的分离。研究L.TaO3为代表的压电、铁电等单晶材料与硅的键合，进而实现LiTaO3薄层的智能剥离与转移，获得LiTaO3/Si新材料，为系统集成特别是光电子集成提供新技术依据。.
英文摘要
SiGe-OI新材料的研究
以AlN为绝缘埋层的新型SOI材料探索
硅中H+,He+离子注入引起的纳米孔层及其应用探索
硅上β-FeSi2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究
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