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SiGe-OI新材料的研究

批准号：
60476006
项目类别：
面上项目
资助金额：
27.0 万元
负责人：
林成鲁
依托单位：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2007
批准年份：
2004
项目状态：
已结题
项目参与者：
安正华、狄增峰、沈勤我、甑万宝、王石冶、谢欣云
关键词：
氧化应变硅SiGe-OI注氧隔离

项目摘要

结项摘要

项目成果

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中文摘要
SiGe-OI是一种兼有SiGe和SOI优势的新型微纳电子和光电子材料，也是实现应变硅结构的优良衬底材料。本申请将采用两种技术途径研究SeGe-OI材料。其一，在硅衬底上生长无缓冲层的SiGe层，结合注氧隔离技术形成SiGe-OI新结构，深入研究SiGe-OI形成过程中高剂量注氧及退火的物理过程和机制，掌握注氧隔离技术制备SiGe-OI新材料的关键技术。其二，通过在SOI衬底上直接外延SiGe层，再通过表面氧化的方法对Ge进行再分布，深入研究SiGe表面氧化过程中Ge的行为，获得高Ge浓度的SiGe-OI结构。本研究将为应变硅提供优良的衬底材料，并为特征线宽90纳米以下微纳电子时代提供关键材料和技术。
英文摘要
期刊论文列表
专著列表
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专利列表
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界面特性
DOI： --
发表时间： --
期刊：
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R的制作与机理
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无空隙低温硅
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Relaxed SiGe-on-Insulator Fabr
松弛绝缘体上硅锗工厂
DOI： --
发表时间： --
期刊：
影响因子： --
作者： [Zengfeng Di, Miao Zhang, Weili]
通讯作者： Zengfeng Di, Miao Zhang, Weili
共 10 条
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    硅上β-FeSi2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究
    国内基金
    海外基金