SiGe-OI是一种兼有SiGe和SOI优势的新型微纳电子和光电子材料，也是实现应变硅结构的优良衬底材料。本申请将采用两种技术途径研究SeGe-OI材料。其一，在硅衬底上生长无缓冲层的SiGe层，结合注氧隔离技术形成SiGe-OI新结构，深入研究SiGe-OI形成过程中高剂量注氧及退火的物理过程和机制，掌握注氧隔离技术制备SiGe-OI新材料的关键技术。其二，通过在SOI衬底上直接外延SiGe层，再通过表面氧化的方法对Ge进行再分布，深入研究SiGe表面氧化过程中Ge的行为，获得高Ge浓度的SiGe-OI结构。本研究将为应变硅提供优良的衬底材料，并为特征线宽90纳米以下微纳电子时代提供关键材料和技术。