SOI技术突破了体硅及集成电路的限制，被称为二十一世纪的微电子技术。然而，常规的SOI材料的SiO2埋层因导热性较差而限制了其应用。本项目结合AlN的离子束合成与智能剥离最录际酰肁lN热导率高、电阻率大等优良性能，探索研究以AlN为埋层的SOI新材料及其相关的技术基础，以发展有知识产权的SOI技术，拓宽其在高温、大功率电路等方面的应用。