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以AlN为绝缘埋层的新型SOI材料探索

批准号：
69976034
项目类别：
面上项目
资助金额：
17.3 万元
负责人：
林成鲁
依托单位：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2002
批准年份：
1999
项目状态：
已结题
项目参与者：
邢昆山、多新中、曾建民、符晓荣、黄碧萍
关键词：
智能剥离氮化铝.绝缘层上硅.

项目摘要

结项摘要

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中文摘要
SOI技术突破了体硅及集成电路的限制，被称为二十一世纪的微电子技术。然而，常规的SOI材料的SiO2埋层因导热性较差而限制了其应用。本项目结合AlN的离子束合成与智能剥离最录际酰肁lN热导率高、电阻率大等优良性能，探索研究以AlN为埋层的SOI新材料及其相关的技术基础，以发展有知识产权的SOI技术，拓宽其在高温、大功率电路等方面的应用。
英文摘要
SiGe-OI新材料的研究
LiTaO3/Si结构的智能剥离(Smart-cut)研究
硅中H+,He+离子注入引起的纳米孔层及其应用探索
硅上β-FeSi2的超高真空镀膜外延及其光学性质研究
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