Entwicklung eines Prozesses zum homoepitaktischen Wachstum von (01-15)-orientiertem SiC aus der flüssigen Phase

这就是我的工作和工作，我的工作主要是为了工作和工作。Gleichzeitig和Volumenkristallzüchtung是一种外延，所以它(0001)-取向的衬底和Schichten的衬底是，在Vergleich zu和deren的，工业的Hersterellten Halbletereinkristallen eine manglhafte晶质它不在同种的Dotierstoffverstilung aufweisen。我们还将为您提供更多的服务。他说：“这是一件非常重要的事情，我不知道该怎么办。死在我们的项目里，(01-15)--从表面上看是一颗星，我们不能戴着这顶帽子，也不能从表面上看到任何东西。这项计划是从Kristallzüchtung kombiniert，die von von anggstellern selbst entwickelt and nur dort Verfübar sind：die Gathasenzüchtung von(01-15)-Orienterten SIC-Volumeneinkristallen，die Gathasenzüchttung von hochreen，dichten-Tiegeln and die Flüssigphasenexie bebeTemperaturenüC unter Flüssigphasenexie be TemperaturenüC unter 2000°C开始的。他说：“这是一件非常重要的事情。”在这座城市里，所有的机械设备和设备都是这样的。

SiC ist im Bezug auf seine physikalischen und elektronischen Eigenschaften einer der am besten geeigneten Halbleiterwerkstoffe für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen. Gleichzeitig ist die Volumenkristallzüchtung wie auch die Epitaxie von SiC sehr schwierig, so dass nur (0001)-orientierte Substrate und Schichten hergestellt werden, die im Vergleich zu anderen, industriell hergestellten Halbleitereinkristallen eine mangelhafte kristalline Qualität und inhomogene Dotierstoffverteilung aufweisen. Dieser Sachverhalt stellt sich als wesentliches Hindernis für die weitere Entwicklung von SiC-basierten Bauelementen dar. Das Ziel, ein besseres Verständnis der Defektentstehung in SiC zu erreichen, bleibt daher ein aktueller, wichtiger Bestandteil der Forschung. Die in diesem Projekt vorgestellten Flüssigphasenepitaxie auf unkonventionellen, (01-15)-orientierten Substraten stellt, wie sich in unseren Voruntersuchungen gezeigt hat, einen viel versprechenden Weg zur Herstellung von glatten, defektfreien, dicken SiC-Epitaxieschichten dar. Bei den projektierten Forschungsarbeiten werden hierzu drei spezielle Technologien der Kristallzüchtung kombiniert, die von den Antragstellern selbst entwickelt und nur dort verfügbar sind: Die Gasphasenzüchtung von (01-15)-orientierten SiC-Volumeneinkristallen, die Gasphasenzüchtung von hochreinen, dichten SiC-Tiegeln und die Flüssigphasenepitaxie bei Temperaturen über 2000°C unter erhöhtem Inertgasdruck. Auf diesem Weg sollen kontrollierbar dicke SiC-Epitaxieschichten hoher kristalliner Qualität bei hohen Wachstumsgeschwindigkeiten hergestellt werden. Die Forschungsarbeiten werden auch erheblich zu einem verbesserten Verständnis der Wachstumsmechanismen und der Defektentstehung in SiC beitragen.