Design der chemischen Reaktivität von nanokristallinem Silicium im Zusammenhang mit seiner Defektstruktur

一种中性变量合成纳米硅(nk-Si)。我们的化学是这样的：它是一种非全能的交织形式。这是一项重大的变革，它的目的是为了更好地保护人类的健康。这是一种相互联系的化学和物理方法，不能改变其性质。Neuartige FestkörperPhysikalische Methoden，insbeondere mikrowellen-detektierte Picts，wwden zum zum einatz komman，um LeitfähigkeitsmECHINISHANS MIT Defekteigenschaften(z.B.Aktivierungsenergie)in Verbindung zu setzen。这是一种新的技术和技术，它是一种新的技术。在德国和运输机械师的基础上，这是一个很好的基础，也是最好的选择。Im Fokus des Projektes stehen：-Schlüsselreaktionen and Steuerung der Syntheeprozesse and ihre Zusammenhänge MIT den Eigenschaften des nk-Si，inbe ondere die Kontrolle der Gröçe und Gröçenveilung der Partikel Sowie der Morphologie.一种新的发展方式，一种新的方式，一种方式

Eine neuartige variable Synthese eröffnet den Weg zu nano-kristallinem Silicium (nk-Si). Eine chemische Oberflächenmodifizierung des nk-Si schließt sich entweder unmittelbar oder nach der Si-Separierung aus dem Templat an. Das modifizierbare nk-Si wird als Modellsubstanz genutzt, um ein tieferes Verständnis von elektronischen Si-Oberflächeneffekten zu erzielen. Mit einem interdisziplinären Methodenansatz zwischen Chemie und Physik soll das unterschiedlich modifizierte nk-Si umfassend charakterisiert werden. Neuartige festkörperphysikalische Methoden, insbesondere mikrowellen-detektierte PICTS, werden zum Einsatz kommen, um Leitfähigkeitsmechanismen mit Defekteigenschaften (z. B. Aktivierungsenergie) in Verbindung zu setzen. Um diese Defekte auch chemisch identifizieren zu können, soll die Methode zur Photo-EPR-Transienten-Spektroskopie erweitert werden. Ein grundlegendes Verständnis der Defekte und Transportmechanismen ist die Voraussetzung dafür, effiziente Bauelemente auf der Basis von nk-Si herstellen und gezielt optimieren zu können. Im Fokus des Projektes stehen: - Schlüsselreaktionen und Steuerung der Syntheseprozesse und ihre Zusammenhänge mit den Eigenschaften des nk-Si, insbesondere die Kontrolle der Größe und Größenverteilung der Partikel sowie der Morphologie. Einsichten in den Bildungsmechanismus sollen abgeleitet werden; - die Identifizierung und Klassifizierung der inhärenten elektronischen Oberflächendefekte, ihre Relevanz für die Möglichkeiten, Reaktionen auf der Oberfläche zu initiieren und damit die Eigenschaften des Materials gezielt modifizieren zu können; - die unterschiedlichen elektronischen Oberflächenzustände in Relation zu der Reaktivität sowie Stabilität des nk-Si; - kinetische und thermodynamische Skalierung der Reaktivität des nk-Si; - die Leitfähigkeitsmechanismen innerhalb der Nanokristalle und zwischen ihnen in einer Schicht, die Verallgemeinerung der Erkenntnisse für die Übertragung auf analoge Prozesse auf Si-Waferoberflächen bzw. verwandte halbleitende Materialien.