Elektrische Modellbildung, Charakterisierung und Entwurf von Silizium Durchkontaktierungen für Anwendungen in integrierten Systemen

芯片通硅孔（TSV）技术，电子工程学报，vol . 10-15 Jahren eine zuverlässige elektrische Durchkontaktierung des halbleiter -块状材料von integrerten Schaltkreisen (ic) oder ganz allgemein halbleitersubstrate。Ziel dieses Vorhabens von TUHH and TU Berlin in Bereich der elektrischen modelellbilung von tsv ist, neue wissenschaftlich and neue wissenschaftlich and nuue wissenschaftlich and nuue wissenschaftlich and nuue wissenschaftlich and nuue wissenschaftlich and nuue wissenschaftlich and numerisemokintische modelerung, mestetechnik veriterund Optimierung von tsv strukturen and berksicsichtigung der Umverdrahtungslagen and auf siliziumsubstrataten zugewinnen。insbesonere sollen Beiträge erarbeitet werden zu:(1)实验人员对复杂体的估计Permittivität bzw。100mhz / 100ghz / 100mhz / 100ghz；(2)在si衬底上的分析和数值分析（Beschreibung der Wellenausbreitung）以及在Ebene衬底上的tsv；(3)基于tsv的参数提取模型（Ersatzschaltbilder）的参数分析；(4)采用轮廓积分法（CIM）对硅衬底上的轮廓积分法（CIM）和轮廓积分法（CIM）进行插值；(5)基于数值模拟的数值模拟方法，包括数值模拟、数值模拟、数值模拟等。Nach messtechnischer Charakterisierung der Genauigkeiten solen method and Modelle angewandt werden, um zuverlässige Entwurfsmaßnahmen f<e:1> r die Übertragung hoher Datenraten <e:1> ber optimale TSV-Strukturen and TSV-Anordnungen abzuleiten。

Die Through-Silicon-Via (TSV) Technologie erlaubt seit ca. 10-15 Jahren eine zuverlässige elektrische Durchkontaktierung des Halbleiter-Bulkmaterials von integrierten Schaltkreisen (ICs) oder ganz allgemein Halbleitersubstraten. Ziel dieses Vorhabens von TUHH und TU Berlin im Bereich der elektrischen Modellbildung von TSVs ist es, neue wissenschaftliche Erkenntnisse zu analytischer und numerischer elektromagnetischer Modellierung, messtechnischer Validierung sowie zu Entwurf und Optimierung von TSV-Strukturen unter Berücksichtigung der Umverdrahtungslagen auf Siliziumsubstraten zu gewinnen. Insbesondere sollen Beiträge erarbeitet werden zu: (1) experimenteller Bestimmung der komplexen Permittivität bzw. komplexen Wellenzahl von Silizium unter Berücksichtigung der Siliziumdotierung von 100 MHz bis 100 GHz; (2) analytischer und numerischer Beschreibung der Wellenausbreitung in Si-Substraten sowohl entlang der TSVs als auch in der Ebene des Substrates; (3) analytischer Bestimmung der elektrischen Parameter von TSVs sowie der Extraktion parametrisierter Modelle (Ersatzschaltbilder); (4) einer Erweiterung der Contour Integral Methode (CIM) zur Erfassung der Wellenausbreitung und Vielfachstreuung in Si-Substraten; und (5) einer numerischen Modellierung von Arrays mit einer hohen Anzahl von TSVs (100- 1000). Nach messtechnischer Charakterisierung der Genauigkeiten sollen die entwickelten Methoden und Modelle angewandt werden, um zuverlässige Entwurfsmaßnahmen für die Übertragung hoher Datenraten über optimale TSV-Strukturen und TSV-Anordnungen abzuleiten.