Untersuchungen zum Wachstum von SiGe/Si Dots aus der Flüssigphase

kerziel des vorliegenden projects bildet der ambitionierte Versuch, Kristallwachstum von nanoskaligen Inseln während der fligphasenepitaxxie (LPE) in situ mittelels扩散器Röntgenstreuung zu untersuchen。研究方向：1 .研究方向：1 .研究方向：1 .研究方向：1 .研究方向：1 .研究方向：1 .研究方向：1 .研究方向：1 .研究方向：1 .研究方向：1 .研究方向：1 .研究方向：1 .研究方向：1 .研究方向：1 .研究方向：Mittel der Wahl - sind and blebenstreu -methoden。Der wohl naheliegendste Gedanke - eine bereits exististierende LPE-Anlage f<e:1> r die Röntgenanalytik umzur<e:1> sten¿lässt sich jedoch aus mehren gren nden nicht in die Praxis <e:1> bertragen。Stattdessen wind in Experiment vorgeschlagen, das mit vorpräparierten sandwich hartigen Strukturen auskomt, bebein einem eigens f<s:1>（德国）在德国的研究（德国）在德国的研究（德国）在德国的研究（德国）在德国的研究（德国）在德国的研究（德国）在德国的研究（德国）。Sofern das bewachsende substrate nur hinreichend d<e:1> nn genug gewählt ist, lässt sich in diesem Umfeld durch die substratrckseite hindurch diffuse Röntgenstreuung sowohl zur Aufklärung der fest- fl<s:1> ssig Grenzfläche als auch der sich unmittelbar anschließenden Gebiete in fl<s:1> sigkeit und Festkörper betreiben。研究表明：硅酸溶液在硅酸溶液中具有良好的吸附性能，在硅酸溶液中具有良好的吸附性能，在硅酸溶液中具有良好的吸附性能。

Kernziel des vorliegenden Projekts bildet der ambitionierte Versuch, Kristallwachstum von nanoskaligen Inseln während der Flüssigphasenepitaxie (LPE) in situ mittels diffuser Röntgenstreuung zu untersuchen. Da bei dieser Züchtungsmethode das Wachstum unter einer metallischen Lösung stattfindet und erst nach Entfernung ebendieser - defacto ex situ - das Resultat beurteilt werden kann, können Oberflächen abtastende Rastersondenverfahren im allgemeinen nur retrospektiv zur Aufklärung des eigentlichen Wachstumsgeschehens beitragen. Mittel der Wahl sind und bleiben Streu-methoden. Der wohl naheliegendste Gedanke - eine bereits existierende LPE-Anlage für die Röntgenanalytik umzurüsten ¿ lässt sich jedoch aus mehreren Gründen nicht in die Praxis übertragen. Stattdessen wird ein Experiment vorgeschlagen, das mit vorpräparierten sandwichartigen Strukturen auskommt, wobei in einem eigens für diesen Zweck zu konstruierenden Untersuchungsofen über einen geeigneten Temperaturgradienten das Wachstum aus der flüssigen Phase gesteuert wird. Sofern das zu bewachsende Substrat nur hinreichend dünn genug gewählt ist, lässt sich in diesem Umfeld durch die Substratrückseite hindurch diffuse Röntgenstreuung sowohl zur Aufklärung der fest-flüssig Grenzfläche als auch der sich unmittelbar anschließenden Gebiete in Flüssigkeit und Festkörper betreiben. SiGe auf Silizium dient in diesem Zusammenhang als geeignetes Modellsystem u.a. wegen des in weiten Grenzen einstellbaren Germaniumgehaltes, respektive der zwischen Schicht und Substrat auftretenden Gitterfehlpassung.