Development of Fundamental Technologies of III-Nitride Semiconductor Optical Devices with "1-monolayer" Quantum Well Structures
Development of Fundamental Technologies of III-Nitride Semiconductor Optical Devices with "1-monolayer" Quantum Well Structures
批准号:
23246056
负责人:
YOSHIKAWA Akihiko
金额:
$31.37万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2011
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2011-04-01 至 2015-03-31
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「ワイドギャップ半導体 あけぼのから最前線へ」“窒化物半導体による広帯域・高効率太陽電池”
“从黎明到最前沿的宽禁带半导体”“使用氮化物半导体的宽带高效太阳能电池”
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
影响因子:
--
作者:
[張睿, 岩崎敬志, 田岡紀之, 竹中充, 高木信一, 草部一秀(分担)]
通讯作者:
草部一秀(分担)
SMART/InN超薄膜ナノ構造が挿入されたGaNダイオード接合特性
插入 SMART/InN 超薄膜纳米结构的 GaN 二极管结特性
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[甲斐聡, 他]
通讯作者:
他
Prospects and problems for III-N solar cells: Theoretical and experimental
III-N太阳能电池的前景和问题:理论和实验
DOI:
--
发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Akihiko Yoshikawa, Kazuhide Kusakabe, Ke Wang, and Naoki Hashimoto]
通讯作者:
and Naoki Hashimoto
Characteristics of carrier recombination processes in n-type and p-type InN films analyzed by infrared spectroscopy
红外光谱分析n型和p型InN薄膜中载流子复合过程的特征
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[S. Takagi, M. Yokoyama, S.-H. Kim, R. Zhang and M. Takenaka, Daichi Imai]
通讯作者:
Daichi Imai
Development of MBE Processes for “SMART” III-Nitride Solar Cells: Coherent-grown (InN)1/(GaN)n Short-Period Superlattices
“智能”III 族氮化物太阳能电池的 MBE 工艺开发:相干生长 (InN)1/(GaN)n 短周期超晶格
DOI:
--
发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
--
作者:
[郡司大輔, 居村岳広, 藤本博志, 目黒 栄, J.Ohta (分担執筆), Kazuhide Kusakabe]
通讯作者:
Kazuhide Kusakabe
共 102 条
Study on the polarity control of hexagonal-structure widegap compound semiconductors and its effect on the material control
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批准号:13450121
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$9.6万
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财政年份:2001
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负责人:YOSHIKAWA Akihiko
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依托单位:
DEVELOPMENT OF MULTIPLY PHOTO-ASSISTED MOVPE FOR FABRICATION OF SEMICONDUCTOR BLUE LASER DIODES
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批准号:07555411
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$0.77万
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财政年份:1995
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负责人:YOSHIKAWA Akihiko
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依托单位:
A New in-situ Optical Probing Method for the Surface Reaction in Heteroepitaxy : Surface Photo-Interference
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批准号:05452092
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$4.03万
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财政年份:1993
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负责人:YOSHIKAWA Akihiko
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依托单位:
Growth and Properties of (III-V)-(II-VI) Super Lattices by Photo-Assisted Atomic Layer Epitaxy
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批准号:01460134
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$3.65万
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财政年份:1989
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负责人:YOSHIKAWA Akihiko
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依托单位:
Physical Properties control of II-VI Compound Semiconductors for Blue Light-Emitting-Devices
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批准号:61550222
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1986
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负责人:YOSHIKAWA Akihiko
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依托单位:
海外基金