Dichtefunktionaluntersuchungen zur Defektbildung und Oxidation in/von Siliziumkarbid

In weiterf<s:1> hrung unserer Arbeiten zu C- and si - basiermaterialien - r potentielle Elektronikanwendungen（晶型：Diamant， Silizium；晶型：a-C， a-Si，二氧化硅和亚氧化硅）wendengen（晶型：a-C， a-Si，二氧化硅和亚氧化硅）wendenen （mittertersuchung von technology）。Die Verbesserung des Verständnisses （verunreiniggen, defktkomplexe and Micropipes）在den unterschiedlichen SiC-Polytypen sodie Oxidationsprozesse and Oberflächen/Grenzflächen f<e:1> r Die erzeeugung von MOS-Hetereostrukturen sollen helfen, Die <s:1> berserische Prozesse beeinflußbare strukturbilung zur Herstellung von Bauelementen f<e:1> r Die Leistungselektronik besser zu verstehen und zu steuern. ...

In Weiterführung unserer Arbeiten zu C- und Si-basierten Materialien für potentielle Elektronikanwendungen (kristallin: Diamant, Silizium; amorph: a-C, a-Si, Siliziumoxide und Suboxide) wenden wir uns mittels effizienter Dichtefunktionalmethoden der Untersuchung von technologisch relevanten Fragestellungen in Siliziumkarbid (SiC) zu. Die Verbesserung des Verständnisses über die Bildung und Eigenschaften von Defektstrukturen (Verunreinigungen, Defektkomplexe und Micropipes) in den unterschiedlichen SiC-Polytypen sowie über Oxidationsprozesse an Oberflächen/Grenzflächen für die Erzeugung von MOS-Hetereostrukturen sollen helfen, die über technologische Prozesse beeinflußbare Strukturbildung zur Herstellung von Bauelementen für die Leistungselektronik besser zu verstehen und zu steuern. ...