Atomistische Untersuchungen zu Stabilität und Eigenschaften von Defekten in Galliumnitrid sowie zur Optimierung von kubischen Gruppe III-Nitrid-Übergittern für optoelektronische Bauelemente

我是Rahman der Weiterführung unserer arbeiten zu osgedehnten defekten in gan soll die beweglichkeit von dislokationen in Six ogalem材料库。我不会把这些东西放在一起，也不会把它们放在一起，也不会把它们放在一起。在这两种材料中，一种是稳定的材料，另一种是纳米材料，这种材料是一种材料。在MOCVD-Prozessen zulassen Sollen，Wird die Bildung von GaN-Nanoteilchen für Pulver and Kolloide im tyischen GrööengieZwitchen Zunehmendem Interesse中，Wird die die Charakteristik der kleinen Clustein MIT Nur wenigen ATOM en RückschlüSSE auf die Verwendung von Von Verwendung von Wachstum in MOCVD-Prozessen zulassen Sollen，wird die Bildung von GaN-Nanoteilchen für Pulver und Kolloide im tyisischen Gröéenationationzwitchen 1-10 nm技术。从实验开始到现在，我们正在进行一项新的试验，以稳定这一地区的电力和经济状况，使之成为一种新的经济形式。从纳米管到异质结构的GaN-C-GaN纳米管的模型和模型进行了初步研究。

Im Rahmen der Weiterführung unserer Arbeiten zu ausgedehnten Defekten in GaN soll die Beweglichkeit von Dislokationen in hexagonalem Material untersucht werden. Hierbei wird die häufig auftretende Stufenversetzung, deren Strukturen wir bereits im ablaufenden Antragszeitraum bestimmt haben, eine besondere Stellung einnehmen. In Ergänzung wollen wir die Eigenschaften von gemischten Dislokationen verstehen, entsprechende Defekte in kubischen Material charakterisieren und ihre Eigenschaften mit denen im Wurtzit-Material vergleichen.In einem zweiten Teil der Arbeiten stehen die Stabilität und Eigenschaften von GaN-Clustern und Nanoteilchen im Mittelpunkt. Während die Charakteristik der kleinen Clustern mit nur wenigen Atomen Rückschlüsse auf die Verwendung von alternativen Precursoren für das GaN-Wachstum in MOCVD-Prozessen zulassen sollen, wird die Bildung von GaN-Nanoteilchen für Pulver und Kolloide im typischen Größenregime zwischen 1-10nm technologisch von zunehmendem Interesse. Begleitend zu experimentellen Arbeiten untersuchen wir deshalb die Stabilität sowie die elektronisch-optischen Eigenschaften entsprechender Teilchen in Abhängigkeit von ihrer Größe, Form und Oberflächenpassivierung. Gleichfalls werden begonnene Arbeiten zu GaN-Nanotubes weitergeführt, Nukleationsmodelle für ihr Wachstum entwickelt und die Eigenschaften von Nanotube-Heterostrukturen GaN-C-GaN bestimmt.