Characterisation of defects in LT-GaAs using a novel method based on thin LT-layers incorporated into pin diodes

齐尔在‘低温生长’的砷化镓(库尔兹LT-砷化镓)衬底中使用了Vorhabens的特征。我们采用的是典型的5-10 nm尺寸的LT-GaAsSchicht-Eigenschaften Eigenschaften Einer Pin-Strukur Charakterisierung genutzt。从一个二极管的角度来看，它的变化很大，因为它不是最好的。中小型企业的温度和频率不同，它们的温度和频率不同，Kapazitätsmessungen、Schichtleitfütsmessungen、Schichtleitfäschiten、BZW、Elektrumeszenz、Photostrom、Elektro-Incenn、Sownw e Sowkaleéngikeit fürün Gigkeezenz、Photostrom、Elektrosorn、Sowkale、Elektrongeszenz、Elektronen、Elektronen、Sowiekale、Elektrongeszenz、Sowiekale、Elektrongeszenzenn、Sowiekale、Elektrongeszenzenz、Sowngikale、Elektrongeszenzenz、Elektronucenn、Sowkwkale、Sowktra、Sowkale、Elektrongeszenn、Elektronzeszenzenz、Elektroneucn、Sowngig、Sowkkale、Sowkale、Ig n、Elek nEes zeigte sich，daúdie für viele Anwendungenäuüerst attraktiven Kenndaten von LT-GaAs，die an VolumenMaterial gewonnen Wurden(Kurze Ladungsträger-Lebensdauer，Hoher Spezifischer Widerstand and Hohe DurchbruchsFeldstärke)，NICHTEINFACH AUF BauElement-Strukturenübertragen Wer den können。

Ziel dieses Vorhabens ist die Charakterisierung tiefer Störstellen in 'Low Temperture Grown' GaAs (kurz LT-GaAs) mittels einer neuartigen Untersuchungsmethode. Bei dieser Metode werden die zum Teil drastischen Auswirkungen einer dünnen (typischerweise 5-10nm dicken) LT-GaAS Schicht auf die Eigenschaften einer pin-Struktur zur Charakterisierung genutzt. Durch Variation der an der Diode angelegten Spannungen können die Störstellen gezielt entleert bzw. befüllt werden. Mittels temperatur- und frequenzabhängiger elektrischer und elektro-optischer Untersuchungen (transiente Strom-Spannungs-Kennlinien), Kapazitätsmessungen, Schichtleitfähigkeiten, bzw. Elektrolumineszenz, Photostrom, Elektroabsorption) sollen ·die energetische Verteilung der Störstellen in der Bandlücke,·die charakteristischen Umladezeiten,·die Wirkungsquerschnitte für den Elektronen- und Löchereinfang·sowie die spektrale Abhängigkeit für photo-induzierte Elektronen und Löcheremmissionbestimmt werden.Darüber hinaus geben diese Untersuchungen auch wichtige Hinweise auf die realen Auswirkungen und Einflüsse von LT-Schichten in Bauelementen. Es zeigte sich, daß die für viele Anwendungen äußerst attraktiven Kenndaten von LT-GaAs, die an Volumenmaterial gewonnen wurden (kurze Ladungsträger-Lebensdauer, hoher spezifischer Widerstand und hohe Durchbruchsfeldstärke), nicht einfach auf Bauelement-Strukturen übertragen werden können.