Resonant tunneling diodes and transistors in dynamic integrated circuits with high functional density

Für eine auch zukünftig stetig fortschreitende Skalierung von mikroelektronischen kleinen und kompakten Systemen gilt es das Potential verfügbarer Quantenefekt-Tunnelbauelemente auf schaltungstechnischer Ebene zu erschließen. Zu diesen Bauelementen gehrt der Resonant Tunnel Bipolar Transistor（RTBT），der aufgrund seiner besonderen Bauelementcharakteristik einzelnen Schaltungskomponenten eine höhere Funktionalität ermöglicht.这是一个功能齐全的海滩景观。Ferner wird durch die monolithische Verschmelzung von Logik- und Speichergattern Funktionsblöcke für zukünftige nanoelektronische Schaltungen bzw.这是一个令人担忧的科学技术体系。这种新的单片Schaltungstechnik技术将像z.B.那样提供一种新的演示。一个伪动力学的NAND-Gatter概念研究。所有潜在的韦尔登都可以在下一代数字交换机或ATM交换机中使用复杂的Schaltungen信号处理。缓冲了一个小时。

Für eine auch zukünftig stetig fortschreitende Skalierung von mikroelektronischen kleinen und kompakten Systemen gilt es das Potential verfügbarer Quanteneffekt-Tunnelbauelemente auf schaltungstechnischer Ebene zu erschließen. Zu diesen Bauelementen gehört der Resonant Tunneling Bipolar Transistor (RTBT), der aufgrund seiner besonderen Bauelementcharakteristik einzelnen Schaltungskomponenten eine höhere Funktionalität ermöglicht. Diese höhere Funktionalität gestattet eine beachtliche Reduzierung der Schaltungskomplexität. Ferner wird durch die monolithische Verschmelzung von Logik- und Speichergattern Funktionsblöcke für zukünftige nanoelektronische Schaltungen bzw. Systeme bereitgestellt und auf diese Weise eine schnelle verlustarme Schaltungstechnik angestrebt. Die Leistungsfähigkeit dieser neuartigen monolithischen Schaltungstechnik wird an verschiedenen Demonstrationsschaltungen wie z.B. einem getakteten pseudodynanmischen NAND-Gatter eingehend studiert. Als potentielle Anwendungen werden schnelle signalverarbeitende Schaltungen geringer Komplexität angesehen, die in der nächsten Generation von digitalen Empfängern oder in ATM switsches bzw. buffers zum Einsatz kommen.