Lichtemitter auf der Basis von Intersubband-Übergängen

In den letzten Jahren sind auf der Grundlage von Intersubbandübergängen单极发光二极管全发光世界，die In mitleren infrarotereich和Laser eingesetzt werden können。Diese so genannten Quanten-Kaskaden-Laser besitzen wesentlich k<e:1> rzere Schaltzeiten als die conventionellen，双极Halbleiterlaser， in denen die lichtemsion auf Interbandübergängen beruht。Deshalb erwartet man, dass mit dieser Art von Lasern wesentlich höhere daten<e:1> bertragungsraten erreicht werden können。量子- kaskaden -激光存在于<s:1>激光材料系统（In,Ga）As/(In,Al)As auf InP和GaAs/(Al,Ga)As auf GaAs。[1][1][1][1][1][1][1][1][1][1]。Um diesen Wellenlängenbereich zu erreichen, sollen die existtierenden Konzepte auf Materialsysteme mit höheren Diskontinuitäten im Leitungsband wie zum Beispiel (In,Ga)As/Al(As,Sb) auf InP， spannungskompensierte Systeme and möglicherweise gruppe - iii -氮化物<e:1> bertragen werden。Die Forschergruppe verfolgt das Ziel, Die physikalischen Pozesse in diesen unipolen lichtemitteren Detail zu verstehen, um Die Übertragbarkeit auf andere Materialsysteme zuerreichen。理论研究与实验研究结合在一起Ladungstägerinjektion，光学研究与材料研究结合在一起Übergänge材料研究与技术研究结合在一起<s:1> r krzere Emissionswellenlängen结合在一起。他还提出了一种新的研究方法，即采用基于Sb-haltigen和跨补偿系统的发射结构。

In den letzten Jahren sind auf der Grundlage von Intersubbandübergängen unipolare Lichtemitter entwickelt worden, die im mittleren Infrarotbereich als Laser eingesetzt werden können. Diese so genannten Quanten-Kaskaden-Laser besitzen wesentlich kürzere Schaltzeiten als die konventionellen, bipolaren Halbleiterlaser, in denen die Lichtemission auf Interbandübergängen beruht. Deshalb erwartet man, dass mit dieser Art von Lasern wesentlich höhere Datenübertragungsraten erreicht werden können. Quanten-Kaskaden-Laser existieren bisher für die Materialsysteme (In,Ga)As/(In,Al)As auf InP und GaAs/(Al,Ga)As auf GaAs. Für die Nachrichtenübertragung sind jedoch Wellenlängen im Bereich von 1,55 um von Bedeutung. Um diesen Wellenlängenbereich zu erreichen, sollen die existierenden Konzepte auf Materialsysteme mit höheren Diskontinuitäten im Leitungsband wie zum Beispiel (In,Ga)As/Al(As,Sb) auf InP, spannungskompensierte Systeme und möglicherweise Gruppe-III-Nitride übertragen werden. Die Forschergruppe verfolgt das Ziel, die physikalischen Pozesse in diesen unipolaren Lichtemittern im Detail zu verstehen, um die Übertragbarkeit auf andere Materialsysteme zu erreichen. Neben der theoretischen und experimentellen Untersuchung der Ladungstägerinjektion, der Bedingungen für die Besetzungsinversion sowie der optischen Übergänge ist eine materialwissenschaftliche und technologische Entwicklung von Intersubbandemittern für kürzere Emissionswellenlängen von besonderem Interesse. Es sollen letztendlich Emitterstrukturen auf der Basis von Sb-haltigen und spannungskompensierten Systemen entwickelt werden.