Formation of III-V semi-conductor quantum dots by ion sputtering

Halbleiter-Quantenpunkten的控制器采用了50 nm的新技术，并建立了光刻方法。方法是，在自我组织中，建立一个新的团队，并帮助他们完成任务。Gegenstand der Untersuchungen ist eine neue selbstorganisierte Methode，die auf einer Oberflächeninstabilität unter Ionenbeschuyberuht and regelmäßige hexagoordnete Quantenpunkte im Bereich von 10 bis 80 Nanometer auf Oberflächen von III-V Halbleitern erzeugt.通过在基础韦尔登中进行热电离和电离诱导扩散，可提高表面反射物的处理和使用效果。Die Untersuchungen zum Bildungsmechanismus sollen den Weg für die Übertragung des Verfahrens auf weitere Materialien ebnen und die kontrollierte Herstellung von Quantenpunkten ermöglichen.

Die kontrollierte Herstellung von Halbleiter-Quantenpunkten unterhalb 50 nm erfordert neue Technologien, die über die etablierten lithografischen Methoden hinaus gehen. Methoden, die auf Selbstorganisation beruhen, bieten einen neuen Zugang und gelten als erfolgreiche Kandidaten. Gegenstand der Untersuchungen ist eine neue selbstorganisierte Methode, die auf einer Oberflächeninstabilität unter Ionenbeschuß beruht und regelmäßige hexagonal angeordnete Quantenpunkte im Bereich von 10 bis 80 Nanometer auf Oberflächen von III-V Halbleitern erzeugt. Die dabei auftretenden Prozesse und das Zusammenspiel des krümmungsabhängigen Oberflächenabtrags durch Ionenbeschuß sowie der thermischen und ioneninduzierten Diffusion soll in den Grundlagen untersucht werden. Die Untersuchungen zum Bildungsmechanismus sollen den Weg für die Übertragung des Verfahrens auf weitere Materialien ebnen und die kontrollierte Herstellung von Quantenpunkten ermöglichen.