Untersuchung und Realisierung von organischen Nanostruktur-Feldeffekttransistoren

自组装单分子膜(SAM)是一种新型的自组装单分子膜(SAM)。在此基础上，提出了一种新的硅氧烷/SiO_2-SiO_2-O_2O_2_2O_2_2O_2_2O_4_2O_4_2O_4_2O_4_2O_4_2O_4_2O_4_2O_4_2O_4_2O_4_2O_4_2O_4_2O_4_2O_4_2O_4_2O_4_2O_2_(SiO_2)_(？)Zur Realisierung von Bauelementschichten müssen die Funktionen Gate-Isolation and Transistorkanschicht Reisiert With Den.Im Projekt schlagen wir folgende ansätze vor：i)SAM auf der base von十八烷基三氯硅烷(OTS)自动氢氧化物硅/二氧化硅ALS门隔离。从纳米光刻技术到电子光刻技术(E-BEAM-LITH)和从真空升华到低聚物的过程中，纳米技术的发展是不可能的。Ii)OTS-SAM MIT硫烯基、吡咯-单体和Deren Verknüpfung zu SAM-Polymerschichten(Schicht MIT多功能性：Gate-Isolations/Kanschicht)和E-BEAM-Lith auf der聚合物-SAM für den NANOFET。三)Ascheiden der OTSSAM MIT einer Ph phalychininkopfgruppe(Gate-Isolations/Kanschicht)和DIREKTE E-BEAM-LITER DER PITHINC-OTS-SAM für den NANOFET。Die Realiserten Schichten müssen elektrisch(Schottkykontakte，KapazitätsSpektroskopie等)分析结果显示。这是一种新型的纳米印刷技术。

Das Projekt hat zum Ziel organische hochgeordnete Monolagenschichten (self assembled monolayers (SAM)) zu realisieren und ihre physikalisch/chemischen Eigenschaften sowie ihre Eignung für die Realisierung von organischen Feldeffekttranstoren (NANOFET) zu untersuchen. Ausgang der Untersuchungen bilden SAM-Schichten, die auf hydroxilierten Si/SiO2-Oberflächen abgeschieden werden. Zur Realisierung von Bauelementschichten müssen die Funktionen Gate-Isolation und Transistorkanalschicht realisiert werden. Im Projekt schlagen wir folgende Ansätze vor: i) SAM auf der Basis von Octadecyltrichlorosilan (OTS) auf hydroxiliertem Si/SiO2 als Gate-Isolation. Strukturierung der Nanometerkontaktstruktur des NA-NOFETs auf der OTS-SAM-Schicht mit hochauflösender Elektronenstrahllithographie (E-BEAM-Lith) und Abscheiden der Kanalschicht durch Vakuumsublimimation von Oligomeren. ii) OTS-SAM mit Thienyl-, Pyrrol-Monomerkopfgruppen und deren Verknüpfung zu SAM-Polymerschichten (Schicht mit Doppelfunktion: Gate-Isolations/Kanalschicht) und E-BEAM-Lith auf der Polymer-SAM für den NANOFET. iii) Abscheiden der OTSSAM mit einer Phthalocyaninkopfgruppe (Gate-Isolations/Kanalschicht) und direkte E-BEAM-Lith der Phthalocyanin-OTS-SAM für den NANOFET. Die realiserten Schichten müssen elektrisch (Schottkykontakte, Kapazitätsspektroskopie, etc.) analysiert werden. Ebenso sind die Nanolithographietechniken auf die einzelnen Schichtsysteme präzise abzustimmen.