Herstellung und Charakterisierung geordneter Ge-Nanostrukturen auf Si-Substraten durch Adsorbat-modifiziertes Wachstum

Im Rahman dieses Projekts Wen De Möglichkeiten des Surfactionant-Modifizierten Wachstumszur Herstellung von Epitaktischen GE-Quanten-Strukturen auf Si(113)MIT Einstellbner Gröçe and Dimension Untersuht。德尔蒂奇·斯特鲁克图伦是一名潜在的中介人，他的名字叫Eauelement。我们从Ge/Si-Heterostrukturen Sind deutlich verschiedenen Gitterkonstanten von Ge and Si.这是我的亲缘关系，也是我的工作。Für die Herstellung von Strukturen MIT突然中断了GE-Konzentation和das Wachstum dünner GE-Filme ist die Konzept jedoch niht and wendbar。它是一种新型的表面活性剂，也是一种新型的表面活性剂和机械设备。Afgrund Ihrer各向异性恒星模具Si(113)Oberfläche Hinsichtlich Dieser Ziele eine正在寻找感兴趣的替代方案：Zu Si(001)和(111)DAR。表面活性剂的吸附是在硅(113)表面上进行的，所以它的尺寸和尺寸都是自定义的。

Im Rahmen dieses Projekts werden die Möglichkeiten des Surfactant-modifizierten Wachstums zur Herstellung von epitaktischen Ge-Quanten-Strukturen auf Si(113) mit einstellbarer Größe und Dimension untersucht. Derartige Strukturen besitzen ein großes Potential für die Realisierung neuartiger elektronischer Bauelemente. Ein wesentliches Hindernis für die Herstellung von Ge/Si-Heterostrukturen sind die deutlich verschiedenen Gitterkonstanten von Ge und Si. Das heute gängige Verfahren besteht in der Abscheidung relativ dicker GeSi-Legierungsschichten mit zunehmender Ge-Konzentration. Für die Herstellung von Strukturen mit abrupten Änderungen der Ge-Konzentration und das Wachstum dünner Ge-Filme ist dies Konzept jedoch nicht anwendbar. Einen Ausweg bietet hier die Verwendung von wachstumsaktiven Oberflächenadsorbaten, sogenannten Surfactants, die eine grundlegende Änderung der Wachstumsmechanismen von Ge auf Si bewirken können. Aufgrund ihrer Anisotropie stellt die Si(113) Oberfläche hinsichtlich dieser Ziele eine besonders interessante Alternative zu Si(001) und (111) dar. Die Adsorption des Surfactants soll genutzt werden, um die Oberflächenverspannung der Si(113) gezielt zu verändern und so die Dimension des Ge-Wachstums über Selbstordnungsprozesse zu steuern.