课题基金 / 基金详情

3-D analyses for crack tip dislocations by using electron tomography

3-D analyses for crack tip dislocations by using electron tomography
使用电子断层扫描进行裂纹尖端位错的 3D 分析
批准号：
18360305
负责人：
HIGASHIDA Kenji
金额：
$8.97万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18360305/
关键词：
クラック電子線トモグラフィ転位応力遮蔽効果破壊靭性格子欠陥透過電子顕微鏡走査透過電子顕微鏡靭性電子顕微鏡物性実験

项目摘要

项目成果

HIGASHIDA Kenji的其他基金

相关文献

中文摘要
翻译
近年金属材料分野への応用が始まった電子線トモグラフィ法は, 主に吸収コントラストを用いた観察に限られてきたため, 回折コントラストを用いて結像させる転位のトモグラフィ観察は難しい状況にあった. そのような中で本研究では, 試料の回転軸と回折ベクトルを供に亀裂進展方向と平行になるよう制御し, 連続傾斜像取得中に転位のコントラストを一定に保つことで, 亀裂先端転位群のトモグラフィ観察を行い, 亀裂先端転位の三次元構造を明らかにした.
英文摘要
近年金属材料分野への応用が始まった電子線トモグラフィ法は, 主に吸収コントラストを用いた観察に限られてきたため, 回折コントラストを用いて結像させる転位のトモグラフィ観察は難しい状況にあった. そのような中で本研究では, 試料の回転軸と回折ベクトルを供に亀裂進展方向と平行になるよう制御し, 連続傾斜像取得中に転位のコントラストを一定に保つことで, 亀裂先端転位群のトモグラフィ観察を行い, 亀裂先端転位の三次元構造を明らかにした.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Crack Tip dislocations Observed by High-Voltage Electron-Microscopy in Single Crystal Silicon
高压电子显微镜观察单晶硅中的裂纹尖端位错
DOI： --
发表时间： 2006
期刊： Proceedings of 16th International Microscopy Congress, Publication committee of IMC16 (Ed. by H. Ichinose and T. Sasaki)
影响因子： --
作者： [M. Tanaka, K. Higashida, H. Nakashima, H. Takagi and M. Fujiwara, 川本重雄, F. Kawashima, K. Higashida and M. Tanaka]
通讯作者： K. Higashida and M. Tanaka
Three-dimensional observation of dislocations by electron tomography in a silicon crystal
通过电子断层扫描对硅晶体中的位错进行三维观察
DOI： --
发表时间： 2008
期刊： Materials Transactions 49
影响因子： --
作者： [M. Tanaka, M. Honda, M. Mitsuhara, S. Hata, K. Kaneko, K. Higashida]
通讯作者： K. Higashida
Si結晶中のき裂先端転位とその内部応力場の赤外光弾性法による可視化
使用红外光弹性方法可视化硅晶体中的裂纹尖端位错及其内应力场
DOI： --
发表时间： 2006
期刊： 材料開発のための顕微鏡法と応用写真集(日本金属学会編)
影响因子： --
作者： [東田賢二, 田中將己, 星野由美]
通讯作者： 星野由美
亀裂先端転位の三次元構造観察
裂纹尖端位错三维结构观察
DOI： --
发表时间： 2008
期刊：
影响因子： --
作者： [田中將己, 本田雅幹, 光原昌寿, 金子賢治, 波多聰, 東田賢二]
通讯作者： 東田賢二
Structure analysis of lattice defects in near bulk specimens combining high-voltage electron microscopy and electron energy loss spectroscopy.
  • 批准号：
    22246090
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
  • 资助金额：
    $29.79万
  • 财政年份：
    2010
  • 负责人：
    HIGASHIDA Kenji
  • 依托单位：
    Kyushu University
Mesoscopic-scale dynamics of materials fracture and workability of silicon crystals
  • 批准号：
    16360316
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $7.04万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    HIGASHIDA Kenji
  • 依托单位：
    KYUSHU UNIVERSITY
Microstructure of Crack Tip Plastic Zone and Fracture Toughness In Silicon Crystals
  • 批准号：
    14550656
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.3万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    HIGASHIDA Kenji
  • 依托单位：
    Kyushu University
TEM analysis for meso-scale textures developed in heavily deformed Fe-alloys
  • 批准号：
    12650662
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.3万
  • 财政年份：
    2000
  • 负责人：
    HIGASHIDA Kenji
  • 依托单位：
    Kyushu University