Geometrie und Eigenschaften von Gruppe-IV-Nanokristallen: Ab initio Berechnungen

这些项目是，Aussagen zu den Bildungsmechanismen，zur atomaren Geometrie，der Elektronenstruktur and den abgeleiteten optischen Eigenschaften von nanostrukturierten Gruppe-IV Halbleitern zu machen。这是一种在硅或碳化硅衬底上自组织生长的硅和锗晶体。此外，还研究了韦尔登纳米晶、离子注入法和碳化硅韦尔登晶的热处理工艺。Wasserstoffabgesättigte集群gestatten die模拟sowohl von freien als auch von in amorphen Matrizen eingebetteten Nanokristalliten.这一点对Ge 1-xSix的影响是显而易见的。这种结构可以在Kohlenstoff-Nanokristalle上进行韦尔登。该方法基于参数自由从头计算方法。光学特征值在一个区域中被估计为最小韦尔登。

Ziel des Projektes ist es, Aussagen zu den Bildungsmechanismen, zur atomaren Geometrie, der Elektronenstruktur und den abgeleiteten optischen Eigenschaften von nanostrukturierten Gruppe-IVHalbleitern zu machen. Es geht dabei einerseits um selbstorganisiert auf Si- oder SiC-Substraten aufgewachsene Si- und GeKristallite. Andererseits werden Ge-Nanokristalle, die durch Ionenimplantation und nachfolgendes thermisches Ausheilen im SiC generiert werden, untersucht. Wasserstoffabgesättigte Cluster gestatten die Simulation sowohl von freien als auch von in amorphen Matrizen eingebetteten Nanokristalliten. Der Einfluss von Mischungen wie Ge1-xSix wird diskutiert. Die strukturellen Untersuchungen werden auf Kohlenstoff-Nanokristalle ausgedehnt. Die Untersuchungen basieren weitgehend auf parameterfreien ab initio Berechnungsmethoden. Die die optischen Eigenschaften bestimmenden Vielteilcheneffekte werden in die Rechnung einbezogen.