Stromzwischenkreisumrichtersystem mit Isolated Gate Bipolar Transistoren hoher Leistung

Stromzwischenkreisumrichter mit abschaltbaren Elementen韦尔登努尔只在Einzelfällen als GTO-Stromrichter industriell eingesetzt.在大功率IGBT晶体管中，滤波器也可以在德国的兆瓦特范围内减少韦尔登，如果谐振是通过几何调制和调节来实现的。在前一阶段，Antrag必须进行韦尔登，最大限度地利用网络和机械系统的Stromzwischenkreisumrichten erreicht韦尔登，并在测试中进行Bauaufwand测试。通过高功率IGBT晶体管的韦尔登，可以获得高的火花电势。Das Ergebnis der Arbeiten soll die Frage beantworten，ob die industrielle Entwicklung rückwärtssperrender IGBT-Transistoren angezeigt ist，um die Vorteile des Stromzwischenkreisumrichters，insbesondere sinförmigen Netz- und Laststrom，im Bereich hoher Leistungen nutzen zu können.

Stromzwischenkreisumrichter mit abschaltbaren Elementen werden heute nur in Einzelfällen als GTO-Stromrichter industriell eingesetzt. Mit der Verfügbarkeit großer IGBT-Transistoren kann der Filteraufwand auch im Megawattbereich deutlich reduziert werden, wenn die Resonanz durch geeignete Modulation und Regeung sicher verhindert wird. Im vorliegenden Antrag soll daher untersucht werden, welche maximale Leistung mit einem System aus netz- und maschinenseitigen Stromzwischenkreisumrichtern erreicht werden kann und welcher Bauaufwand dafür erforderlich ist. Darüber hinaus soll das Einsparpotential durch rückwärtsperrfähige IGBT-Transistoren ermittelt werden. Das Ergebnis der Arbeiten soll die Frage beantworten, ob die industrielle Entwicklung rückwärtssperrender IGBT-Transistoren angezeigt ist, um die Vorteile des Stromzwischenkreisumrichters, insbesondere sinusförmigen Netz- und Laststrom, im Bereich hoher Leistungen nutzen zu können.