Modellierung und Simulation von MTO- und GTO- Thyristoren zum Einsatz im Hochspannungsbereich

Ziel des Forschungsvorhabens is the Erstellung physikalisch basierter model von Silizium-Hoistungshalbleitern zum Einstein in einem Spannungsbereich von 3 bis 10 kV.该模型解决了一个Schaltungssimulationsprogramm geeignet sein and auf detaillierten Untersuchungen des Bauelementverhaltens mit Helfe einer Einer-Elemente-Analyse beruhen中的Anwendung问题。Im Gegenetzu bekannten Ansätzen zur Modellierung von Leistungshalbleitern soll so erstmals eine umfangreiche Verknüpfung von physicalischen und schaltungstechnischen Effekten geschaffen韦尔登（1.和2. Jahr）。在一个新的模拟实验模型中，Schritt韦尔登进行了两次实验。大足将有一个带有9 kV开关的试验装置，以及在高压下GTO和MTO晶闸管的实际应用（2。和3. Jahr）。Die verifizierten Modelle können schließlich zur Untersuchung besonderer Anwendungen im Hochspannungsbereich dienen und so zu einer Erweiterung des Grundlagenwissens beitragen（3.和4. Jahr）。

Ziel des Forschungsvorhabens ist die Erstellung physikalisch basierter Modelle von Silizium-Hochleistungshalbleitern zum Einsatz in einem Spannungsbereich von 3 bis 10 kV. Diese Modelle sollen für die Anwendung in einem Schaltungssimulationsprogramm geeignet sein und auf detaillierten Untersuchungen des Bauelementverhaltens mit Hilfe einer Finite-Elemente-Analyse beruhen. Im Gegensatz zu bekannten Ansätzen zur Modellierung von Leistungshalbleitern soll so erstmals eine umfangreiche Verknüpfung von physikalischen und schaltungstechnischen Effekten geschaffen werden (1. und 2. Jahr). In einem zweiten Schritt werden die neuen Simulationsmodelle experimentell überprüft. Dazu wird eine Prüfanlage mit einer Zwischenkreisspannung von 9 kV realisiert, welche die praxisgerechte Anwendung von GTO- und MTO-Thyristoren im Hochspannungsbereich erlaubt (2. und 3. Jahr). Die verifizierten Modelle können schließlich zur Untersuchung besonderer Anwendungen im Hochspannungsbereich dienen und so zu einer Erweiterung des Grundlagenwissens beitragen (3. und 4. Jahr).