Defektdichten und Injektionsbarrieren in organischen Feldeffekt-Transistoren (OFETs): Vergleich von Röntgenbeugung und 4-Punkt Messungen (Transistor und Hallgeometrie)

我是Rahman des vorgeschlagenen Projektes Sollen(纳米)Strukturierte，晶体Dünschicht-Transistorstrukturen hersterellt。Mittels Röntgenstrukturanalyst是Strukturelle Defektdichten and Detail der Molekularen Anordnung Quantiziert，以及MIT den elektronischen Transport igenschaften(Mobilität，Photostrom)korrelert。VIER-Punkt Messungen(霍尔和晶体管几何)Sollen duchgeführt den，um Kontaktwiederstand and Ladungsträgerdichten分开at zu bstimin.Als aktive Schicht soll Pentacene，Coronene and Tetrlorperylendiand zum einsatz kommen(ALS Vertreter für stäbchenförmie，Scheibenartige，and nickht-plare Pi-Systeme)。门材料是硅氧化物和光透明聚合物(COC BZW.TOPAS)zum einatz komman。Kontaktiert wird Mittels(Thiolisierten)au-kontakten.在Arbeitsgruppen von Bert Nickel(Streumethoden，Wachstum Organcher Filme)和Udo Beerlein(Nano Lithogie，Electrktrische TransportMessungen an Nanoskalen Systmen)下，Das Projekt ist eine Kooperation in nerhalb des Center for NanoScience(Cens)der Arbeitsgruppen von Bert Nickel(Streumethoden，Wachstum Organcher Filme)和Udo Beerlein(Nano Bierlein)。

Im Rahmen des vorgeschlagenen Projektes sollen (nano-)strukturierte, kristalline Dünnschicht-Transistorstrukturen hergestellt werden. Mittels Röntgenstrukturanalyse werden strukturelle Defektdichten und Details der molekularen Anordnung quantiziert, und mit den elektronischen Transporteigenschaften (Mobilität, Photostrom) korreliert. Vier-Punkt Messungen (Hall- und Transistor-Geometrie) sollen durchgeführt werden, um Kontaktwiederstand und Ladungsträgerdichten separat zu bestimmen. Als aktive Schicht soll Pentacene, Coronene und Tetrachlorperylendianhydrid zum Einsatz kommen (als Vertreter für stäbchenförmige, scheibenartige, und nicht-planare Pi-Systeme). Als Gatematerial werden Siliziumoxid auf hochdotiertem Si und optischtransparente Polymere (COC bzw. Topas) zum Einsatz kommen. Kontaktiert wird mittels (thiolisierten) Au-Kontakten. Das Projekt ist eine Kooperation innerhalb des Center for NanoSciences (CeNS) der Arbeitsgruppen von Bert Nickel (Streumethoden, Wachstum organischer Filme) und Udo Beierlein (Nanolithographie, elektrische Transportmessungen an nanoskaligen Systemen).