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Special Foreign Currency Travel Award (Including Indian Currency) For Participation in the U.S.-India Exchange of Scientists Program
参加美印科学家交流计划特别外币旅行奖（包括印度货币）
基本信息
- 批准号：7723636
- 负责人：
- 金额：$ 0.21万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Standard Grant
- 财政年份：1978
- 资助国家：美国
- 起止时间：1978-02-01 至 1978-02-28
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
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会议论文数量（0）
专利数量（0）
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"Structural and Performance Limitations of Ultra-Submicron Gate-length Modulation-Doped FET's Based on InP Substrate for MM-Wave Amplification"
“用于毫米波放大的基于 InP 衬底的超亚微米栅极长度调制掺杂 FET 的结构和性能限制”
- 批准号：
8921694 - 财政年份：1990
- 资助金额：
$ 0.21万 - 项目类别：
Continuing Grant
Fabrication and Characterization of Selectively Contacted Dual Channel Switching Transistors Using III-V Modulation- Doped Heterostructures - Ft. Monmouth
使用 III-V 调制掺杂异质结构的选择性接触双通道开关晶体管的制造和表征 - Ft.
- 批准号：
8913743 - 财政年份：1989
- 资助金额：
$ 0.21万 - 项目类别：
Standard Grant
Design and Performance Evaluation of 0.1 um Gate-Length Modulation-Doped FET's for Millimeter-Wave Amplification
用于毫米波放大的 0.1 um 栅极长度调制掺杂 FET 的设计和性能评估
- 批准号：
8714972 - 财政年份：1988
- 资助金额：
$ 0.21万 - 项目类别：
Continuing Grant
Fort Monmouth Interaction: Fabrication and Characterization of Real-Space Transfer Dual Switching Field-Effect Using III-V Modulation-Doped Heterostructures
Fort Monmouth Interaction：使用 III-V 调制掺杂异质结构的真实空间传输双开关场效应的制造和表征
- 批准号：
8718801 - 财政年份：1988
- 资助金额：
$ 0.21万 - 项目类别：
Standard Grant
Expedited Award for Novel Research: Real Space Transfer Dual Switching Field Effect Transistors using III-V Modulation Doped Heterostructures
新颖研究加急奖：使用 III-V 调制掺杂异质结构的真实空间传输双开关场效应晶体管
- 批准号：
8617801 - 财政年份：1986
- 资助金额：
$ 0.21万 - 项目类别：
Standard Grant
IUC: A Study of the Basic Characteristics of Submicron Gate-length Superlattice Stabilized Modulation-doped FET's Optimized for Improved MM-wave Performance
IUC：亚微米栅长超晶格稳定调制掺杂 FET 基本特性的研究，经优化可提高毫米波性能
- 批准号：
8503894 - 财政年份：1985
- 资助金额：
$ 0.21万 - 项目类别：
Continuing Grant
Industry/University Cooperative Research Activity: An Investigation of the Backgating Effect and the 1/f Noise in GaAs MESFET'S
产学合作研究活动：GaAs MESFET 中的背栅效应和 1/f 噪声的研究
- 批准号：
8401182 - 财政年份：1984
- 资助金额：
$ 0.21万 - 项目类别：
Standard Grant
I/Ucra: an Exper. Study For the Characterization of DefectsAnd Imperfections in Gaas Field-Effect Transistors With Emph. on Their Origin in Materials and Processing
I/Ucra：专家。
- 批准号：
8103737 - 财政年份：1982
- 资助金额：
$ 0.21万 - 项目类别：
Standard Grant
Industry/University Cooperative Program-Processing Defects In Field Effect Transistors
产学合作项目——场效应晶体管缺陷处理
- 批准号：
7824428 - 财政年份：1979
- 资助金额：
$ 0.21万 - 项目类别：
Standard Grant
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8305002 - 财政年份：1983
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