High Efficiency, Multi-Semiconductor Solar Cells Based on Alloy Ternaries

基于三元合金的高效多半导体太阳能电池

基本信息

  • 批准号:
    8018584
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.97万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 财政年份:
    1981
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    1981-03-01 至 1983-08-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Joseph Loferski其他文献

Joseph Loferski的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Joseph Loferski', 18)}}的其他基金

Seventh International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, New Delhi, India, December 14 to 18, 1993, Support of U.S. Participants
第七届半导体器件物理国际研讨会,印度新德里,1993 年 12 月 14 日至 18 日,美国参与者的支持
  • 批准号:
    9312242
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
    Standard Grant
The Physics of Semiconductor Devices, Fifth International Workshop , December 10-15, 1989, New Delhi, India
半导体器件物理,第五届国际研讨会,1989 年 12 月 10-15 日,印度新德里
  • 批准号:
    8912128
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Industry-University Cooperative Research Center for Thin Film and Interface Research (CTFIR)
薄膜与界面研究产学合作研究中心(CTFIR)
  • 批准号:
    8813548
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Planning Conference for an I/UCR Center for Thin Films and Interfaces
I/UCR 薄膜和界面中心规划会议
  • 批准号:
    8715920
  • 财政年份:
    1987
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Fourth International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices, Madras, India, December 10-15, 1987, Group Travel Award in Indian and U.S. Currencies
第四届半导体器件物理国际研讨会,印度马德拉斯,1987 年 12 月 10 日至 15 日,印度和美国货币团体旅行奖
  • 批准号:
    8714933
  • 财政年份:
    1987
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Short-Term Visit to Hsinchu, Taiwan to Discuss Cooperative Research on Photovoltaic Materials
短期访问台湾新竹洽谈光伏材料合作研究
  • 批准号:
    8417998
  • 财政年份:
    1984
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SFC Travel Support (in Indian Currency) for U.S. Participation in the U.S. - India Exchange of Scientists Program
证监会为美国参加美国-印度科学家交流计划提供差旅支持(以印度货币计)
  • 批准号:
    8311650
  • 财政年份:
    1983
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SFC Award (In Indian Currency and U.S. Dollars) for Group Travel to Second International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices
因团体旅行参加第二届半导体器件物理国际研讨会而获得证监会奖(以印度货币和美元计算)
  • 批准号:
    8314069
  • 财政年份:
    1983
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Sfc Travel Support (In Indian Currency) to Participate in The International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices, Delhi, India, November 23-28, 1981
证监会出差支持(以印度货币)参加 1981 年 11 月 23 日至 28 日在印度德里举行的国际半导体器件物理研讨会
  • 批准号:
    8118999
  • 财政年份:
    1981
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Copper Indium Sulfide and Other Related Photovoltaic Solar Cells
铜铟硫化物及其他相关光伏太阳能电池
  • 批准号:
    7723753
  • 财政年份:
    1978
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
    Standard Grant

相似国自然基金

基于Multi-Pass Cell的高功率皮秒激光脉冲非线性压缩关键技术研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
Multi-decadeurbansubsidencemonitoringwithmulti-temporaryPStechnique
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    80 万元
  • 项目类别:
High-precision force-reflected bilateral teleoperation of multi-DOF hydraulic robotic manipulators
  • 批准号:
    52111530069
  • 批准年份:
    2021
  • 资助金额:
    10 万元
  • 项目类别:
    国际(地区)合作与交流项目
基于8色荧光标记的Multi-InDel复合检测体系在降解混合检材鉴定的应用研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2021
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
大规模非确定图数据分析及其Multi-Accelerator并行系统架构研究
  • 批准号:
    62002350
  • 批准年份:
    2020
  • 资助金额:
    24.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
3D multi-parameters CEST联合DKI对椎间盘退变机制中微环境微结构改变的定量研究
  • 批准号:
    82001782
  • 批准年份:
    2020
  • 资助金额:
    24.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
高速Multi-bit/cycle SAR ADC性能优化理论研究
  • 批准号:
    62004023
  • 批准年份:
    2020
  • 资助金额:
    24.0 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
基于multi-SNP标记及不拆分策略的复杂混合样本身份溯源研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2020
  • 资助金额:
    56 万元
  • 项目类别:
    面上项目
大地电磁强噪音压制的Multi-RRMC技术及其在青藏高原东南缘—印支块体地壳流追踪中的应用
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2020
  • 资助金额:
    万元
  • 项目类别:
    国际(地区)合作与交流项目

相似海外基金

Flexible fMRI-Compatible Neural Probes with Organic Semiconductor based Multi-modal Sensors for Closed Loop Neuromodulation
灵活的 fMRI 兼容神经探针,带有基于有机半导体的多模态传感器,用于闭环神经调节
  • 批准号:
    2336525
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Nanoporous semiconductor-enabled multi-site photostimulation for cardiac resynchronization therapy
用于心脏再同步治疗的纳米多孔半导体多部位光刺激
  • 批准号:
    10861527
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
Development of a Simple and Scalable Method for Organic Semiconductor Single Crystal Growth and Formation of Multi-Single Crystal Thin Films for Applications in Field-Effect Transistor-Based Devices.
开发一种简单且可扩展的方法,用于有机半导体单晶生长和多单晶薄膜的形成,用于基于场效应晶体管的器件。
  • 批准号:
    22K14293
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Efficiency improvement of semiconductor photocatalysts by multi-dimensional band endineering
通过多维能带工程提高半导体光催化剂的效率
  • 批准号:
    21H04551
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Multi-microscopy study of Compound Semiconductor nanostructures and devices
化合物半导体纳米结构和器件的多显微镜研究
  • 批准号:
    2601719
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
    Studentship
Excellence in Research: Multi-Charge Ion Implantation of Ultra-Wide Bandgap beta-Ga2O3 Semiconductor Grown by Magnetron Sputtering
卓越研究:磁控溅射生长的超宽带隙 β-Ga2O3 半导体的多电荷离子注入
  • 批准号:
    2000174
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Ultrafast and efficient radiative decay due to coupling of light and multi-componet excitons in semiconductor single crystal thin films
半导体单晶薄膜中光与多组分激子的耦合导致超快且高效的辐射衰减
  • 批准号:
    19K03687
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Generation of complex multi-photon states in miniaturized semiconductor based quantum devices
在基于微型半导体的量子器件中生成复杂的多光子态
  • 批准号:
    403555215
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
    Research Grants
Nanowires: A new platform for semiconductor manufacturing with an emphasis in multi-spetral infrared cameras
纳米线:半导体制造的新平台,重点是多光谱红外相机
  • 批准号:
    478906-2015
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
    Strategic Projects - Group
Synthesis and function of heterostructured semiconductor nanoparticles with multi-junction
多结异质结构半导体纳米颗粒的合成及功能
  • 批准号:
    17K14081
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 0.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了