Fourth International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices, Madras, India, December 10-15, 1987, Group Travel Award in Indian and U.S. Currencies

第四届半导体器件物理国际研讨会,印度马德拉斯,1987 年 12 月 10 日至 15 日,印度和美国货币团体旅行奖

基本信息

  • 批准号:
    8714933
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.55万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 财政年份:
    1987
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    1987-08-01 至 1988-07-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Objectives and Relevancy: This project supports participation by U.S. scientists in the Fourth International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices, to be held December 10-15, 1987 in Madras, India. The meeting is sponsored by COSTED, the Committee on Science and Technology in Developing Countries, (UNESCO), a committee of the International Council of Scientific Unions. The past three workshops were held in India in 1981, 1983, 1985. The 1987 meeting is to address the following areas: materials and their characterization; microelectronics, VLSI and ULSI devices; gallium arsenide devices; infrared and radiation detectors and solar cells; and radiation effects on semiconductor devices. Invited and contributed papers will be presented, and proceedings will be prepared for publication as was done with the previous workshops. This project meets the U.S.-India program criteria for support of U.S. participation in meetings that enhance the exchange of information and improve the potential for cooperative research between the two countries. Merit: The area of this workshop is one of the most important for industrial development, and is also one where advances are taking place at a fast rate in the western world and also in India. The P.I. is eminently qualified to organize the U.S. delegation for maximum benefit to the participants and for enhancing the interaction between the scientists of the two countries in this important field. The Indian organizers are among that country's leading scientists. Funding: None other than this action.
目标和相关性:本项目支持美国科学家参加将于1987年12月10日至15日在印度马德拉斯举行的第四届半导体器件物理学国际研讨会。这次会议是由国际科学联合会理事会下属的发展中国家科学和技术委员会(教科文组织)主办的。过去三次讲习班分别于1981年、1983年和1985年在印度举行。1987年会议将讨论下列领域:材料及其特性;微电子、VLSI和ULSI器件;砷化镓器件;红外线和辐射探测器及太阳能电池;以及辐射对半导体器件的影响。邀请和投稿的论文将被发表,会议记录将与前几次讲习班一样准备出版。该项目符合美印项目的标准,即支持美国参与加强信息交流和提高两国合作研究潜力的会议。优点:本次研讨会的领域是工业发展最重要的领域之一,也是西方世界和印度正在快速发展的领域。P.I.非常有资格组织美国代表团,以最大限度地使与会者受益,并加强两国科学家在这一重要领域的互动。印度的组织者是该国顶尖的科学家。资金:正是这一行动。

项目成果

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Seventh International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, New Delhi, India, December 14 to 18, 1993, Support of U.S. Participants
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  • 批准号:
    9312242
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 3.55万
  • 项目类别:
    Standard Grant
The Physics of Semiconductor Devices, Fifth International Workshop , December 10-15, 1989, New Delhi, India
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  • 批准号:
    8912128
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 3.55万
  • 项目类别:
    Standard Grant
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  • 批准号:
    8813548
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 3.55万
  • 项目类别:
    Standard Grant
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  • 批准号:
    8715920
  • 财政年份:
    1987
  • 资助金额:
    $ 3.55万
  • 项目类别:
    Standard Grant
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  • 批准号:
    8417998
  • 财政年份:
    1984
  • 资助金额:
    $ 3.55万
  • 项目类别:
    Standard Grant
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  • 批准号:
    8311650
  • 财政年份:
    1983
  • 资助金额:
    $ 3.55万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SFC Award (In Indian Currency and U.S. Dollars) for Group Travel to Second International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices
因团体旅行参加第二届半导体器件物理国际研讨会而获得证监会奖(以印度货币和美元计算)
  • 批准号:
    8314069
  • 财政年份:
    1983
  • 资助金额:
    $ 3.55万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Sfc Travel Support (In Indian Currency) to Participate in The International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices, Delhi, India, November 23-28, 1981
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  • 批准号:
    8118999
  • 财政年份:
    1981
  • 资助金额:
    $ 3.55万
  • 项目类别:
    Standard Grant
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基于三元合金的高效多半导体太阳能电池
  • 批准号:
    8018584
  • 财政年份:
    1981
  • 资助金额:
    $ 3.55万
  • 项目类别:
    Standard Grant
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  • 批准号:
    7723753
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    1978
  • 资助金额:
    $ 3.55万
  • 项目类别:
    Standard Grant

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    2008
  • 资助金额:
    $ 3.55万
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    Standard Grant
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  • 资助金额:
    $ 3.55万
  • 项目类别:
    Standard Grant
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