U.S.-China Cooperative Research: Improvement of Amorphous Silicon Semiconductors
中美合作研究:非晶硅半导体的改进
基本信息
- 批准号:8619493
- 负责人:
- 金额:$ 2.81万
- 依托单位:
- 依托单位国家:美国
- 项目类别:Standard Grant
- 财政年份:1987
- 资助国家:美国
- 起止时间:1987-08-15 至 1991-01-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
The objectives of this two-year cooperative research project on the improvement of amorphous silicon semiconductors between Hellmut Fritzsche of the University of Chicago and Chen Jukuang of the Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences are to elucidate the correlation between the microstructure and the electronic properties of amorphous silicon, arrive at a better understanding of surface and interfaces of this amorphous semiconductor multilayers and measure microscopic mobility as a function of temperature, doping and preparation conditions. This is a continuation of a 1982 U.S.-China Program cooperative research grant. This project addresses problems at the forefront of current research on amorphous crystalline materials. Amorphous silicon is a promising material for many solid state devices. A better understanding of these materials is expected to improve the quality and reproducibility of semiconductors which are useful for large area solar cells and numerous electronic and optical devices. The Chicago and Shanghai groups' combined expertise on semiconductor physics and materials preparation and characterization will promote the U.S.-China Cooperative Science Program's objective of advancing scientific knowledge through international collaborative research.
芝加哥大学的Hellmut Fritzsche和中国科学院上海陶瓷研究所的陈菊光就改善非晶硅半导体进行了为期两年的合作研究,目的是阐明非晶硅的微结构与电子性能之间的关系,更好地了解这种非晶态半导体多层膜的表面和界面,并测量微观迁移率随温度、掺杂和制备条件的变化。这是1982年美国-中国计划合作研究资助的延续。该项目解决了当前非晶态晶体材料研究的前沿问题。非晶硅是一种很有前途的固态器件材料。对这些材料的更好理解有望提高半导体的质量和再现性,这对大面积太阳能电池和许多电子和光学设备都是有用的。芝加哥和上海两家集团在半导体物理以及材料制备和表征方面的专业知识结合在一起,将促进美国-中国合作科学计划通过国际合作研究提高科学知识的目标。
项目成果
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专著数量(0)
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专利数量(0)
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