刷新
{{item.name}}会员
Improvement of Amorphous Silicon Semiconductors
非晶硅半导体的改进
基本信息
- 批准号：8203084
- 负责人：
- 金额：$ 2万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Standard Grant
- 财政年份：1982
- 资助国家：美国
- 起止时间：1982-08-01 至 1985-01-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Hellmut Fritzsche其他文献
The study of optical nonlinearity in amorphous Si-based alloys
- DOI：
10.1016/s0022-3093(05)80197-8 - 发表时间：
1991-01-01 - 期刊：
- 影响因子：
- 作者：
Kunji Chen;Jun Xu;Xinfan Huang;Zhifeng Li;Hellmut Fritzsche - 通讯作者：
Hellmut Fritzsche
Hellmut Fritzsche的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Hellmut Fritzsche', 18)}}的其他基金
Photo-induced Changes and Transport in Amorphous Semiconductors
非晶半导体中的光致变化和传输
- 批准号：
9408670 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 2万 - 项目类别：
Continuing Grant
Electronic Processes and Interactions in Amorphous Semiconductors
非晶半导体中的电子过程和相互作用
- 批准号：
9108109 - 财政年份：1991
- 资助金额：
$ 2万 - 项目类别：
Continuing Grant
Research in Physics at the Tata Institute of Fundamental Research, Travel Award in Indian Currency.
塔塔基础研究所物理研究，印度货币旅行奖。
- 批准号：
8913356 - 财政年份：1989
- 资助金额：
$ 2万 - 项目类别：
Standard Grant
U.S.-China Cooperative Research (Solid State Physics): Elec-tronic Transport in Amorphous Silicon Multilayers
中美合作研究（固态物理）：非晶硅多层电子输运
- 批准号：
8718328 - 财政年份：1988
- 资助金额：
$ 2万 - 项目类别：
Standard Grant
Electronic Structures of Amorphous Semiconductors
非晶半导体的电子结构
- 批准号：
8806197 - 财政年份：1988
- 资助金额：
$ 2万 - 项目类别：
Continuing Grant
U.S.-China Cooperative Research: Improvement of Amorphous Silicon Semiconductors
中美合作研究：非晶硅半导体的改进
- 批准号：
8619493 - 财政年份：1987
- 资助金额：
$ 2万 - 项目类别：
Standard Grant
Amorphous Semiconductor Multilayers (Materials Research)
非晶半导体多层膜（材料研究）
- 批准号：
8504717 - 财政年份：1985
- 资助金额：
$ 2万 - 项目类别：
Continuing Grant
Topical Conference on Transport and Defects in Amorphous Semiconductors (Materials Research), Institute for Amorphous Studies, Bloomfield Hills, Mi., March 22-24, 1984
非晶半导体输运和缺陷专题会议（材料研究），非晶研究所，密歇根州布卢姆菲尔德山，1984 年 3 月 22-24 日
- 批准号：
8405335 - 财政年份：1984
- 资助金额：
$ 2万 - 项目类别：
Standard Grant
Group Travel For U.S. Participants in the 15th Intl Conference on the Physics of Semiconductors; Kyoto, Japan - Sept 1-5, 1980
第 15 届国际半导体物理会议美国与会者团体旅行；
- 批准号：
8008603 - 财政年份：1980
- 资助金额：
$ 2万 - 项目类别：
Standard Grant
相似海外基金
Hydrogenated Amorphous Silicon: A Non-Linear Optical Material
氢化非晶硅：一种非线性光学材料
- 批准号：
498606-2016 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2万 - 项目类别：
University Undergraduate Student Research Awards
Study on visible light recognition element using sequential deposited hydrogenated amorphous silicon film and artificial pigment
采用顺序沉积氢化非晶硅薄膜和人造色素的可见光识别元件的研究
- 批准号：
16K14059 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Hydrogenated Amorphous Silicon: A Non-Linear Optical Material
氢化非晶硅：一种非线性光学材料
- 批准号：
483117-2015 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2万 - 项目类别：
University Undergraduate Student Research Awards
Lithiation mechanisms of amorphous silicon electrodes in Li-ion batteries probed by in-operando neutron reflectometry
操作中中子反射测量法探讨锂离子电池非晶硅电极的锂化机制
- 批准号：
266437955 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2万 - 项目类别：
Research Grants
AMorphous Silicon Alloy Anodes for Multiple Battery Systems - "AMorpheuS"
用于多种电池系统的非晶硅合金阳极 - “AMorpheuS”
- 批准号：
EP/N001583/1 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2万 - 项目类别：
Research Grant
Development of magnetic-field and pulsed-plasma-enhanced chemical vapor deposition method to fabricate amorphous silicon carbonitride diaphragm for environmental-cell transmission electron microscope
磁场和脉冲等离子体增强化学气相沉积法制备环境电池透射电子显微镜用非晶碳氮化硅隔膜的研究
- 批准号：
26420685 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Quantum Confinement of Silicon Quantum Dots in Amorphous Silicon Nitride Matrix
非晶氮化硅基体中硅量子点的量子限制
- 批准号：
442569-2013 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2万 - 项目类别：
Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Master's
Development of defect-controlled hetero-junction contact with amorphous silicon insertion
开发非晶硅插入的缺陷控制异质结接触
- 批准号：
25870466 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
INSPIRE Track 1: Manufacture and Characterization of Nanocrystalline/Amorphous Silicon for Particle Detection
INSPIRE 轨道 1：用于粒子检测的纳米晶/非晶硅的制造和表征
- 批准号：
1344251 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2万 - 项目类别：
Continuing Grant
Staebler-Wronski effect in tritiated amorphous silicon
氚化非晶硅中的斯塔布勒-朗斯基效应
- 批准号：
341444-2008 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 2万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual