Amorphous Semiconductor Multilayers (Materials Research)

非晶半导体多层膜(材料研究)

基本信息

  • 批准号:
    8504717
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 52.4万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Continuing Grant
  • 财政年份:
    1985
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    1985-04-01 至 1988-09-30
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Hellmut Fritzsche其他文献

The study of optical nonlinearity in amorphous Si-based alloys
  • DOI:
    10.1016/s0022-3093(05)80197-8
  • 发表时间:
    1991-01-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
  • 作者:
    Kunji Chen;Jun Xu;Xinfan Huang;Zhifeng Li;Hellmut Fritzsche
  • 通讯作者:
    Hellmut Fritzsche

Hellmut Fritzsche的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Hellmut Fritzsche', 18)}}的其他基金

Photo-induced Changes and Transport in Amorphous Semiconductors
非晶半导体中的光致变化和传输
  • 批准号:
    9408670
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
Electronic Processes and Interactions in Amorphous Semiconductors
非晶半导体中的电子过程和相互作用
  • 批准号:
    9108109
  • 财政年份:
    1991
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
Research in Physics at the Tata Institute of Fundamental Research, Travel Award in Indian Currency.
塔塔基础研究所物理研究,印度货币旅行奖。
  • 批准号:
    8913356
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    Standard Grant
U.S.-China Cooperative Research (Solid State Physics): Elec-tronic Transport in Amorphous Silicon Multilayers
中美合作研究(固态物理):非晶硅多层电子输运
  • 批准号:
    8718328
  • 财政年份:
    1988
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Electronic Structures of Amorphous Semiconductors
非晶半导体的电子结构
  • 批准号:
    8806197
  • 财政年份:
    1988
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
U.S.-China Cooperative Research: Improvement of Amorphous Silicon Semiconductors
中美合作研究:非晶硅半导体的改进
  • 批准号:
    8619493
  • 财政年份:
    1987
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Topical Conference on Transport and Defects in Amorphous Semiconductors (Materials Research), Institute for Amorphous Studies, Bloomfield Hills, Mi., March 22-24, 1984
非晶半导体输运和缺陷专题会议(材料研究),非晶研究所,密歇根州布卢姆菲尔德山,1984 年 3 月 22-24 日
  • 批准号:
    8405335
  • 财政年份:
    1984
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Improvement of Amorphous Silicon Semiconductors
非晶硅半导体的改进
  • 批准号:
    8203084
  • 财政年份:
    1982
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Undergraduate Research Participation
本科生研究参与
  • 批准号:
    8026163
  • 财政年份:
    1981
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Group Travel For U.S. Participants in the 15th Intl Conference on the Physics of Semiconductors; Kyoto, Japan - Sept 1-5, 1980
第 15 届国际半导体物理会议美国与会者团体旅行;
  • 批准号:
    8008603
  • 财政年份:
    1980
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    Standard Grant

相似海外基金

Thermal engineering in semiconductor heterojunction for space transducers
空间换能器半导体异质结的热工程
  • 批准号:
    DP240102230
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    Discovery Projects
Flexible fMRI-Compatible Neural Probes with Organic Semiconductor based Multi-modal Sensors for Closed Loop Neuromodulation
灵活的 fMRI 兼容神经探针,带有基于有机半导体的多模态传感器,用于闭环神经调节
  • 批准号:
    2336525
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase II: Innovative Glass Inspection for Advanced Semiconductor Packaging
SBIR 第二阶段:先进半导体封装的创新玻璃检测
  • 批准号:
    2335175
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    Cooperative Agreement
Collaborative Research: A Semiconductor Curriculum and Learning Framework for High-Schoolers Using Artificial Intelligence, Game Modules, and Hands-on Experiences
协作研究:利用人工智能、游戏模块和实践经验为高中生提供半导体课程和学习框架
  • 批准号:
    2342747
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    Standard Grant
GRASP - GREEN AGILE SEMICONDUCTOR PRODUCTION
GRASP - 绿色敏捷半导体生产
  • 批准号:
    10099437
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    EU-Funded
RII Track-4: NSF: Development of Semiconductor Lasers and Passive Devices on a Single Sapphire Platform for Integrated Microwave Photonics
RII Track-4:NSF:在单个蓝宝石平台上开发用于集成微波光子学的半导体激光器和无源器件
  • 批准号:
    2327229
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    Standard Grant
SBIR Phase I: All-Semiconductor Nanostructured Lenses for High-Tech Industries
SBIR 第一阶段:用于高科技行业的全半导体纳米结构镜头
  • 批准号:
    2335588
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    Standard Grant
NSF Engines: Central Florida Semiconductor Innovation Engine
NSF 引擎:佛罗里达州中部半导体创新引擎
  • 批准号:
    2315320
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    Cooperative Agreement
ERI: A Machine Learning Framework for Preventing Cracking in Semiconductor Materials
ERI:防止半导体材料破裂的机器学习框架
  • 批准号:
    2347035
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    Standard Grant
CAREER: Semiconductor on Nitride PhoXonic Integrated Circuit (SONIC) Platform for Chip-Scale RF and Optical Signal Processing
职业:用于芯片级射频和光信号处理的氮化物 PhoXonic 集成电路 (SONIC) 平台上的半导体
  • 批准号:
    2340405
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 52.4万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了