An Optoelectronic Integrated Circuit (OEIC) Galium Arsenide Receiver on a Silicon Substrate

硅衬底上的光电集成电路 (OEIC) 砷化镓接收器

基本信息

  • 批准号:
    8860742
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 4.98万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 财政年份:
    1989
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    1989-01-01 至 1989-09-30
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Development of a fully monolithic integrated receiver chip for the 1.3 and 1.55 micron fibre optic wavelengths is proposed. The chip will be fabricated on a Si substrate so that conventional bipolar MOSFET technology can be used to construct all of the preamplifier electronics. We will use an innovative method for the growth of high-quality InP and related compound epitaxial layers on silicon substrates. The hydride VPE technique would be used to compositionally grade In(x)Ga(1-x)As films on a commercially purchased GaAs/Si substrate from x = 0 to x = 0.53. InP or InGaAs(P) would then be directly deposited onto the lattice- matched In(53)Ga(47)As. Performance goals of the OEIC include a 500 Mb/s data rate, -40 dBm sensitivity and efficient light detection out to 1.65 micron. During Phase I, 75 micron planar InGaAs photodiodes, grown on GaAs/Si substrates, will be fabricated, lifetested and delivered as prototypes along with an epitaxial layer of InP grown on a silicon substrate. In Phase II, these detectors will be combined on a single chip with a Si bipolar preamplifier, thus resulting in a monolithic integrated receiver. Detector and receiver design and characterization will be done in conjunction with Prof. S.R. Forrest in the Department of Electro Physics at the University of Southern California.
一种全单片集成接收机芯片的研制 1.3并且提出了1.55微米的光纤波长。 芯片 将在Si衬底上制造,使得传统的双极 MOSFET技术可用于构建所有的 electronics. 我们将采用创新的方法, 硅上的高质量InP和相关化合物外延层 印刷受体. 氢化物VPE技术将用于 In(x)Ga(1-x)As薄膜 从x = 0到x = 0.53购买的GaAs/Si衬底。 InP或 InGaAs(P)将直接沉积在晶格上, 匹配In(53)Ga(47)As。 OEIC的绩效目标包括: 500 Mb/s数据速率、-40 dBm灵敏度和高效照明 检测范围为1.65微米。 在第一阶段,75微米平面 在GaAs/Si衬底上生长的InGaAs光电二极管将在 制造、寿命测试并作为原型沿着交付, 在硅衬底上生长的InP外延层。 在第二阶段, 这些探测器将被组合在一个单一的芯片上, 双极晶体管,从而导致单片集成 接收机 探测器和接收器的设计和表征将 与S.R.教授一起完成。Forrest在部门 南加州大学的电子物理学教授。

项目成果

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  • 通讯作者:
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  • 资助金额:
    $ 4.98万
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