课题基金 / 基金详情

Breitstreifen-Antimonid-Laser mit integriertem Transversalmodenselektor und Gitter zur Wellenlängenstabilisierung

Breitstreifen-Antimonid-Laser mit integriertem Transversalmodenselektor und Gitter zur Wellenlängenstabilisierung
具有集成横向模式选择器和用于波长稳定的光栅的宽条锑化物激光器
批准号:
13329535
负责人:
Professor Dr. Henning Fouckhardt
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2006
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2005-12-31 至 2009-12-31

项目摘要

项目成果

Professor Dr. Henning Fouckhardt的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
Breitstreifenlaser (BAL) liefern hohe Ausgangsleistungen, aber üblicherweise zeitlich instabil verteilt auf zahlreiche Transversalmoden. Z.B. um die transversale Grundmode eines Rot/ Nahinfrarot-BAL zu unterstützen, wurden in der Gruppe des Antragstellers schon kompakte ¿externe wellenleitergestützte Polymer-auf-Glas-Resonatoren verwendet, die eine Fourieroptische Raumfrequenzfilterung in einem 4/-Aufbau (2/mit reflektierendem Filter) vornahmen. In diesem Vorhaben sollen wesentliche Neuerungen eingeführt werden: Erstens soll das Konzept auf Antimonid-Halbleiterlaser mit Emission im mittleren Infrarot (MIR) übertragen werden, wo hohe Ausgangsleistungen für spektroskopische Anwendungen besonders wünschenswert sind. Zweitens soll der bislang ¿externe Resonator Teil der aktiven Laserkavität werden, was drittens gleichzeitig eine monolithische Integration zulässt. Viertens sollen die Raumfrequenzfilter-Spiegelelemente mit geblaztem Beugungsgittern versehen werden, um gleichzeitig eine Wellenlängenstabilisierung zu ermöglichen. Nach dem Epitaxieprozess des Moduls können der totalreflektierende gekrümmte Fourier-Transformations-Zylinderspiegel und die Grube für das reflektierende Filter-/Gitterelement, das gleichzeitig den zweiten Resonatorendspiegel darstellt, in einem einzigen Trockenätzschritt realisiert werden.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Optoelectrowetting for actuation of nanoliter droplets, revisited
Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) for III/V semiconductor crystal dry-etching (RIE) for in-situ identification of self-organized roughness (roughness-RIE-RAS)
In-situ etch depth control with precision around 1 nm via reflectance anisotropy spectroscopy during reactive ion etching of monocrystalline III/V semiconductors
Breitstreifenlaser mit monolithisch integriertem Transversalmodenselektor in geradem Resonator
海外基金