Schichtstrukturdesign für Antimonid-III-V-Halbleiter-Quantenfilme - einfache Berechnungsmethoden und experimentelle Überprüfung

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Für das tägliche Design komplizierter III-V-Halbleiter-Quantenfilmstrukturen in Epitaxielaboratorien fehlt es an einfachen Berechnungsverfahren, die schnell und genau durchzuführen sind. Wir schlagen hier zur Lösung der eindimensionalen zeitunabhängigen Schrödinger-Gleichung zum einen ein einfaches Ein-BandEffektiv-Masse-Modell vor, das von einer verbesserten "Schieß"Methode Gebrauch macht. Die Praktikabilität des Ansatzes und der Annahmen soll an molekularstrahlepitaktisch zu wachsenden III-V-Halbleiterstrukturen mit Typ I- und Typ II-Heteroübergängen im AlGaInAsSb-Materialsystem überprüft werden. Zum anderen soll ein effizienter und einfacher Mehrband-Algorithmus auf Basis eines verbesserten Finite-Differenzen-Schieß-Verfahrens, implementiert und experimentell überprüft werden, der für komplizierte Mehrfachquantenfilm- und Übergitterstrukturen geeignet ist.