Al-freie Antimonid-Laser auf GaSb- und InAs-Substrat und der Weg dorthin

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Antimonid-Halbleiter-Laser sind vielversprechende Mittelinfrarot-Lichtquellen, für die häufig das AlGalnAsSb-Materialsystem auf GaSb-, seltener auf InAs-Substrat verwendet wird. Da Alhaltige Schichten oxidieren und nicht für Laser mit relativ hoher Leistung geeignet sind, soll im Projekt nach Vorarbeiten mit Al-haltigen Schichtenfolgen auf Al erst in der aktiven Schichtenfolge, dann auch in der Wellenleiter-Überstruktur verzichtet werden - immer mit dem Ziel optisch gepumpte kantenemittierende Antimonid-Halbleiterlaser zu entwickeln. Das optische Pumpen erlaubt eine schnelle Kontrolle der Wachstumsqualität und der zusammensetzungsbedingten Veränderungen. Auch Vorarbeiten für ein späteres elektrisches Pumpen sollen durchgeführt werden. Sowohl GaSb- als auch InAs-Substrate kommen zum Einsatz. Die molekularstrahlepitaktisch gewachsenen Laserstrukturen sollen verspannungskompensiert oder gitterangepasst sein; im zweiten Fall muss mit ternären oder quaternären Schichten gearbeitet werden. Bei vollständiger Al-Freiheit werden Leckwellenleiter-Überstrukturen zur Wellenführung eingesetzt.