Al-freie Antimonid-Laser auf GaSb- und InAs-Substrat und der Weg dorthin

GaSb 和 InAs 基底上的无铝锑化物激光器及其实现方法

• 批准号: 5360150
• 负责人: Professor Dr. Henning Fouckhardt
• 金额: --
• 依托单位: Arbeitsgruppe Integrierte Optoelektronik und Mikrooptik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2001-12-31 至 2004-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5360150?language=en
• 关键词: Al; freie; Antimonid; Laser; auf

Antimonid-Halbleiter-Laser sind vielversprechende Mittelinfrarot-Lichtquellen, für die häufig das AlGalnAsSb-Materialsystem auf GaSb-, seltener auf InAs-Substrat verwendet wird. Da Alhaltige Schichten oxidieren und nicht für Laser mit relativ hoher Leistung geeignet sind, soll im Projekt nach Vorarbeiten mit Al-haltigen Schichtenfolgen auf Al erst in der aktiven Schichtenfolge, dann auch in der Wellenleiter-Überstruktur verzichtet werden - immer mit dem Ziel optisch gepumpte kantenemittierende Antimonid-Halbleiterlaser zu entwickeln. Das optische Pumpen erlaubt eine schnelle Kontrolle der Wachstumsqualität und der zusammensetzungsbedingten Veränderungen. Auch Vorarbeiten für ein späteres elektrisches Pumpen sollen durchgeführt werden. Sowohl GaSb- als auch InAs-Substrate kommen zum Einsatz. Die molekularstrahlepitaktisch gewachsenen Laserstrukturen sollen verspannungskompensiert oder gitterangepasst sein; im zweiten Fall muss mit ternären oder quaternären Schichten gearbeitet werden. Bei vollständiger Al-Freiheit werden Leckwellenleiter-Überstrukturen zur Wellenführung eingesetzt.

Antimonid-Halbleiter-Laser - sinveveversprechende mittelinfrared - lichtquellen, f<s:1> r die häufig as alalnassb - materialsystem of GaSb-, seltener of inas - substrate verwendet wind。与其他Leistung geeignet激光器相比，Alhaltige Schichten氧化和夜间<s:1>激光激光器，在Projekt nach vorarbeten mit Al-haltigen Schichtenfolgen和Al- ertiven Schichtenfolge中，在der Wellenleiter-Überstruktur verzichtet werden - immer mit Ziel optisch gepumpte kantenemitereende antimonid - halbleiter激光器中。Das optische Pumpen erlaut eine schnelle control der Wachstumsqualität and der zusammensetzungsbedingten Veränderungen。电力系统与电力系统之间的关系：电力系统与电力系统之间的关系。Sowohl GaSb-也称为inch - substrate kommen zum Einsatz。激光结构与光刻技术；激光结构与光刻技术；im zweiten Fall muss mit ternären oder quaternären Schichten gearbeitet werden。Bei vollständiger Al-Freiheit werden Leckwellenleiter-Überstrukturen zur wellenf<e:1> hhrung eingesetzt。